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1. WO2020084400 - 金属酸化物の作製方法、半導体装置の作製方法

公開番号 WO/2020/084400
公開日 30.04.2020
国際出願番号 PCT/IB2019/058802
国際出願日 16.10.2019
IPC
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 21/363 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まないH01L21/06,H01L21/16およびH01L21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
363物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
H01L 21/8239 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
H01L 21/8242 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
8242ダイナミックランダムアクセスメモリ構造(DRAM)
H01L 27/105 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei
優先権情報
2018-20177426.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PRODUCTION METHOD FOR METAL OXIDE, AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'OXYDE MÉTALLIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 金属酸化物の作製方法、半導体装置の作製方法
要約
(EN)
The present invention provides a semiconductor device having excellent reliability. The present invention includes a first step for forming, upon a substrate, a metal oxide having indium and a second step for subjecting the metal oxide to microwave treatment from thereabove. The first step is performed by means of a sputtering method using an oxide target having indium, and the second step is performed under reduced pressure using an oxygen-containing gas. As a result of the second step, defects (VoH) in the metal oxide where hydrogen has filled oxygen vacancies are split into oxygen vacancies (Vo) and hydrogen (H).
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur ayant une excellentes fiabilité. La présente invention comprend une première étape consistant à former, sur un substrat, un oxyde métallique ayant de l'indium et une seconde étape consistant à soumettre l'oxyde métallique à un traitement par micro-ondes depuis la partie supérieure de celui-ci. La première étape est réalisée au moyen d'un procédé de pulvérisation à l'aide d'une cible d'oxyde ayant de l'indium, et la seconde étape est réalisée sous pression réduite à l'aide d'un gaz contenant de l'oxygène. En conséquence de la seconde étape, les défauts (VoH) dans l'oxyde métallique dans lesquels l'hydrogène a rempli des lacunes d'oxygène sont divisés en lacunes d'oxygène (Vo) et en hydrogène (H).
(JA)
信頼性が良好な半導体装置を提供する。 基板上に、インジウムを有する金属酸化物を形成する第1の工程と、金属酸化物上からマイクロ波処理を行う第2の工程と、を有し、第1の工程は、インジウムを有する酸化物ターゲットを用いて、スパッタリング法によって行われ、第2の工程は、減圧下、かつ、酸素を含むガスを用いて行われ、第2の工程により、金属酸化物中の酸素欠損に水素が入った欠陥(VoH)を、酸素欠損(Vo)と水素(H)とに分断する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報