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1. WO2020080476 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/080476
公開日 23.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/040942
国際出願日 17.10.2019
IPC
H01L 29/739 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
70バイポーラ装置
72トランジスタ型装置,すなわち,供給される制御信号に連続的に応答できるもの
739電界効果により制御されるもの
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 21/8234 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
H01L 27/06 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
06複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの
H01L 29/78 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H01L 29/861 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
86整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861ダイオード
出願人
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 梅木 真也 UMEKI, Shinya
代理人
  • 特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS
優先権情報
2018-19651118.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
A semiconductor device includes a semiconductor layer that has a first main surface on one side and a second main surface on the other side and includes an active region, a plurality of IGBT regions formed in the active region, and a plurality of diode regions formed in the active region so as to be adjacent to the plurality of IGBT regions, wherein where a total extension length of a boundary line between the plurality of IGBT regions and the plurality of diode regions is represented by L, the total area of the plurality of diode regions is represented by SD, and the degree of dispersion of the plurality of diode regions with respect to the active region is defined by an expression of Loge(L2/SD), the degree of dispersion is 2 or more and 15 or less.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant une couche semi-conductrice qui a une première surface principale sur un côté et une seconde surface principale sur l'autre côté et comprend une région active, une pluralité de régions IGBT formées dans la région active, et une pluralité de régions de diode formées dans la région active de manière à être adjacentes à la pluralité de régions d'IGBT, une longueur d'extension totale d'une ligne de délimitation entre la pluralité de régions d'IGBT et la pluralité de régions de diode étant représentée par L, la surface totale de la pluralité de régions de diodes est représentée par SD, et le degré de dispersion de la pluralité de régions de diode par rapport à la région active est défini par une expression Loge(L2/SD), le degré de dispersion est supérieur ou égal à 2 et inférieur ou égal à 15.
(JA)
半導体装置は、一方側の第1主面および他方側の第2主面を有し、アクティブ領域を含む半導体層と、前記アクティブ領域に形成された複数のIGBT領域と、複数の前記IGBT領域に隣り合うように前記アクティブ領域に形成された複数のダイオード領域と、を含み、複数の前記IGBT領域および複数の前記ダイオード領域の間の境界線の総延長をLで表し、複数の前記ダイオード領域の総面積をSDで表し、前記アクティブ領域に対する複数の前記ダイオード領域の分散度をLog(L/SD)の式で定義したとき、前記分散度が、2以上15以下である。
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