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1. WO2020080429 - 半導体装置、検出方法、電子機器及び電子機器の制御方法

公開番号 WO/2020/080429
公開日 23.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/040741
国際出願日 16.10.2019
IPC
H01L 21/822 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
G01R 19/00 2006.01
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
19電流または電圧を測定し,またはそれの存在または符号を指示するための装置
G01R 31/26 2014.01
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
31電気的性質を試験するための装置;電気的故障の位置を示すための装置;試験対象に特徴のある電気的試験用の装置で,他に分類されないもの
26個々の半導体装置の試験
H01L 21/66 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
H01L 27/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 森 茂貴 MORI, Shigetaka
  • 冨田 学 TOMITA, Manabu
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2018-19563517.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, DETECTION METHOD, ELECTRONIC APPARATUS, AND ELECTRONIC APPARATUS CONTROL METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE DÉTECTION, APPAREIL ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE D'APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置、検出方法、電子機器及び電子機器の制御方法
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to measure the influence of a plasma induced damage (PID) with higher accuracy using an oscillation circuit. A semiconductor device is provided with: at least one measuring transistor (111) of which the gate is electrically connected with an antenna section (140) functioning as an antenna during plasma processing; a selecting transistor (121) of which the source is electrically connected with the gate of the measuring transistor in parallel with the antenna section; and an oscillation circuit (130) which is electrically connected with the source of the measuring transistor and of which the oscillation frequency fluctuates due to a threshold voltage of the measuring transistor.
(FR)
Le but de la présente invention est de mesurer l'influence d'un endommagement induit par plasma (PID) avec une précision plus élevée à l'aide d'un circuit d'oscillation. Un dispositif à semi-conducteur comporte : au moins un transistor de mesure (111) dont la grille est électriquement connectée à une section d'antenne (140) fonctionnant comme une antenne pendant le traitement au plasma ; un transistor de sélection (121) dont la source est électriquement connectée à la grille du transistor de mesure en parallèle avec la section d'antenne ; et un circuit d'oscillation (130) qui est électriquement connecté à la source du transistor de mesure et dont la fréquence d'oscillation fluctue en raison d'une tension de seuil du transistor de mesure.
(JA)
発振回路を用いてより高い精度でPIDの影響を測定する。プラズマプロセスにてアンテナとして機能するアンテナ部(140)がゲートに電気的に接続された少なくとも1以上の測定トランジスタ(111)と、前記測定トランジスタの前記ゲートにソースが前記アンテナ部と並列に電気的に接続された選択トランジスタ(121)と、前記測定トランジスタのソースと電気的に接続され、発振周波数が前記測定トランジスタの閾値電圧によって変動する発振回路(130)と、を備える、半導体装置。
他の公開
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