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1. WO2020080281 - 微細パターンを有する基板にシリコン膜を形成する方法

公開番号 WO/2020/080281
公開日 23.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/040194
国際出願日 11.10.2019
IPC
B05D 7/24 2006.01
B処理操作;運輸
05霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
D液体または他の流動性材料を表面に適用する方法一般
7液体または他の流動性材料を特定の表面に適用するかまたは特定の液体または他の流動性材料を適用するのに特に適した,フロック加工以外の,方法
24特定の液体または他の流動性材料を適用するためのもの
B05D 3/02 2006.01
B処理操作;運輸
05霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
D液体または他の流動性材料を表面に適用する方法一般
3液体または他の流動性材料を適用する表面の前処理;適用されたコーティングの後処理,例.液体または他の流動性材料を続いて適用することに先だってなされるすでに適用されたコーティングの中間処理
02焼き付けによるもの
B05D 7/00 2006.01
B処理操作;運輸
05霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
D液体または他の流動性材料を表面に適用する方法一般
7液体または他の流動性材料を特定の表面に適用するかまたは特定の液体または他の流動性材料を適用するのに特に適した,フロック加工以外の,方法
B32B 27/00 2006.01
B処理操作;運輸
32積層体
B積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
27本質的に合成樹脂からなる積層体
H01L 21/208 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
208液相成長を用いるもの
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 JAPAN ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP]/[JP]
発明者
  • 田中 有紀 TANAKA, Yuki
  • 橋本 浩幸 HASHIMOTO, Hiroyuki
  • 中村 麻由子 NAKAMURA, Mayuko
  • 増田 貴史 MASUDA, Takashi
  • 高岸 秀行 TAKAGISHI, Hideyuki
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2018-19440115.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR FORMING SILICON FILM ON SUBSTRATE HAVING FINE PATTERN
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM DE SILICIUM SUR UN SUBSTRAT PRÉSENTANT UN MOTIF FIN
(JA) 微細パターンを有する基板にシリコン膜を形成する方法
要約
(EN)
A method for forming a silicon film on a substrate having a fine pattern, which comprises: a step for subjecting a substrate having a fine pattern to a surface treatment with use of an adhesion promoter; a step for forming a coating film by applying a silane polymer solution to the substrate that has been subjected to the surface treatment; and a step for heating the coating film.
(FR)
L'invention concerne un procédé de formation d'un film de silicium sur un substrat présentant un motif fin, qui comprend : une étape consistant à soumettre un substrat présentant un motif fin à un traitement de surface à l'aide d'un promoteur d'adhérence ; une étape consistant à former un film de revêtement par application d'une solution de polymère de silane sur le substrat qui a été soumis au traitement de surface ; et une étape consistant à chauffer le film de revêtement.
(JA)
微細パターンを有する基板を、密着促進剤による表面処理に付す工程、表面処理に付した基板にシランポリマー溶液を塗布して塗布膜を形成する工程、及び塗布膜を加熱する工程を含む、微細パターンを有する基板にシリコン膜を形成する方法。
他の公開
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