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1. WO2020080159 - 半導体発光素子

公開番号 WO/2020/080159
公開日 23.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/039454
国際出願日 07.10.2019
IPC
H01L 33/04 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
04量子効果を奏する構造または超格子を有するもの,例.トンネル接合
H01L 33/32 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
26発光領域の材料
30III族およびV族元素のみを有するもの
32窒素を含むもの
出願人
  • スタンレー電気株式会社 STANLEY ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 小幡 俊之 OBATA Toshiyuki
  • 橋本 健宏 HASHIMOTO Yasuhiro
代理人
  • 特許業務法人レクスト国際特許事務所 LEXT, P.C.
優先権情報
2018-19559917.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子
要約
(EN)
This semiconductor light-emitting element has: an n-type semiconductor layer that has an AlGaN or AlInGaN composition; an active layer that comprises an AlGaN-based semiconductor or an AlInGaN-based semiconductor and that is formed on an n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer that has an AlN, AlGaN, or AlInGaN composition and that is formed on the active layer; and a p-electrode that is formed on the p-type semiconductor layer, wherein the p-type semiconductor layer has a contact layer that is formed on the p-electrode and that comprises an AlGaN layer or an AlInGaN layer with a band gap becoming smaller toward an interface with the p-electrode, and the contact layer has a tunnel contact layer that is in contact with the p-electrode and is connected to the p-electrode through a tunnel junction.
(FR)
L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur comprenant : une couche semi-conductrice de type n qui a une composition d'AlGaN ou AlInGaN ; une couche active qui comprend un semi-conducteur à base d'AlGaN ou un semi-conducteur à base d'AlInGaN et qui est formée sur une couche semi-conductrice de type n ; une couche semi-conductrice de type p qui a une composition d'AlN, AlGaN ou AlInGaN et qui est formée sur la couche active ; et une électrode p qui est formée sur la couche semi-conductrice de type p, la couche semi-conductrice de type p ayant une couche de contact qui est formée sur l'électrode p et qui comprend une couche d'AlGaN ou une couche d'AlInGaN ayant une bande interdite qui devient plus petite vers une interface avec l'électrode p, et la couche de contact a une couche de contact de tunnel qui est en contact avec l'électrode p et est connectée à l'électrode p par l'intermédiaire d'une jonction tunnel.
(JA)
AlGaN又はAlInGaNの組成を有するn型半導体層と、n型半導体層上に形成され、AlGaN系半導体又はAlInGaN系半導体からなる活性層と、活性層上に形成され、AlN、AlGaN又はAlInGaNの組成を有するp型半導体層と、p型半導体層上に形成されたp電極と、を有し、p型半導体層は、p電極上に形成され、p電極との界面に向かってバンドギャップが小さくなるAlGaN層又はAlInGaN層からなるコンタクト層を有し、コンタクト層は、p電極に接触し、トンネル接合によってp電極に接続されたトンネルコンタクト層を有する。
他の公開
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