処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

Goto Application

1. WO2020080016 - プラズマ成膜装置およびプラズマ成膜方法

公開番号 WO/2020/080016
公開日 23.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/036408
国際出願日 17.09.2019
IPC
C23C 14/50 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
50基板保持具
H05H 1/46 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人
  • JSWアフティ株式会社 JSW AFTY CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 嶋田 勝 SHIMADA, Masaru
  • 鳥居 博典 TORII, Hironori
  • 田中 こずえ TANAKA, Kozue
代理人
  • 特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES
優先権情報
2018-19496516.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA FILM FORMATION APPARATUS AND PLASMA FILM FORMATION METHOD
(FR) APPAREIL DE FORMATION DE FILM DE PLASMA ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM DE PLASMA
(JA) プラズマ成膜装置およびプラズマ成膜方法
要約
(EN)
A plasma film formation apparatus 1 comprises: a vacuum chamber 2 in which a film formation treatment is performed on a substrate 4; a substrate holder 3 provided so as to be rotatable about the film-forming surface 4a of the substrate 4; a rotation shaft 5 that is connected to the substrate holder 3; and a plasma-generating unit 10 that is for generating plasma 6 and is provided so that the angle of plasma 6 irradiation with respect to the rotation shaft 5 is an acute angle. The apparatus also comprises a first driving part 7 for moving the substrate holder 3 in a vertical direction 11 that is parallel to the rotation shaft 5, a second driving part 8 for moving the substrate holder 3 in a horizontal direction 12 that is orthogonal to the rotation shaft 5, and a third driving part 9 for rotating the rotation shaft 5. The substrate holder 3 is moved in each of the vertical direction 11 and the horizontal direction 12 independently.
(FR)
L'invention concerne un appareil de formation de film de plasma 1 qui comprend : une chambre à vide 2 dans laquelle un traitement de formation de film est réalisé sur un substrat 4 ; un support de substrat 3 disposé de façon à pouvoir tourner autour de la surface de formation de film 4a du substrat 4 ; un arbre de rotation 5 qui est relié au support de substrat 3 ; et une unité de génération de plasma 10 qui est destinée à générer du plasma 6 et est disposée de telle sorte que l'angle d'irradiation de plasma 6 par rapport à l'arbre de rotation 5 est un angle aigu. L'appareil comprend également une première partie d'entraînement 7 pour déplacer le support de substrat 3 dans une direction verticale 11 qui est parallèle à l'arbre de rotation 5, une deuxième partie d'entraînement 8 pour déplacer le support de substrat 3 dans une direction horizontale 12 qui est orthogonale à l'arbre de rotation 5, et une troisième partie d'entraînement 9 pour faire tourner l'arbre de rotation 5. Le support de substrat 3 est déplacé dans la direction verticale 11 et dans la direction horizontale 12 indépendamment.
(JA)
プラズマ成膜装置1は、基板4に成膜処理が行われる真空チャンバ2と、基板4の膜形成面4aに沿って回転可能に設けられた基板ホルダ3と、基板ホルダ3と連結する回転軸5と、プラズマ6を発生させ、かつ回転軸5に対するプラズマ6の照射角度が鋭角を成すように設けられたプラズマ発生部10と、を有する。さらに、基板ホルダ3を回転軸5と平行な上下方向11に移動させる第1駆動部7と、基板ホルダ3を回転軸5と直交する水平方向12に移動させる第2駆動部8と、回転軸5を回転させる第3駆動部9と、を有しており、基板ホルダ3は、上下方向11と水平方向12とにそれぞれ独立して移動される。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報