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1. WO2020079970 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/079970
公開日 23.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/034327
国際出願日 02.09.2019
IPC
H01L 25/07 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人
  • 株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 加藤 信之 KATO Nobuyuki
  • 石野 寛 ISHINO Hiroshi
  • 秋山 博則 AKIYAMA Hironori
代理人
  • 金 順姫 JIN Shunji
優先権情報
2018-19437815.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
Provided is a semiconductor device comprising: a first metal body (41); a second metal body (42) which is positioned facing the first metal body; a first semiconductor chip (51) which is positioned in the facing region and which comprises a Si substrate and a first element formed thereon, and a second semiconductor chip (52) which is positioned in the facing region and which comprises a SiC substrate and a second element formed thereon; and a first terminal (61) interposed between the second metal body and the first semiconductor chip and a second terminal (62) interposed between the second metal body and the second semiconductor chip. In a perpendicular direction to the facing direction, a coefficient of linear expansion of the second terminal is less than a coefficient of linear expansion of the first terminal. With a first sum total taken to be the sum total of the products of the thicknesses of the members and the coefficient of linear expansion in the facing direction in terms of a first virtual line which is parallel to the facing direction and which traverses a region overlapping with the first terminal in a projection view in the facing direction, and with a second sum total taken to be the sum total of the products of the thicknesses of the members and the coefficient of linear expansion in the facing direction in terms of a second virtual line which is parallel to the facing direction and which traverses a region overlapping with the second terminal, the second sum total is greater than or equal to the first sum total.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : un premier corps métallique (41) ; un second corps métallique (42) qui est positionné face au premier corps métallique ; une première puce semi-conductrice (51) qui est positionnée dans la région en vis-à-vis et qui comprend un substrat de Si et un premier élément formé sur celui-ci, et une seconde puce semi-conductrice (52) qui est positionnée dans la région en vis-à-vis et qui comprend un substrat de SiC et un second élément formé sur celui-ci ; et une première borne (61) interposée entre le second corps métallique et la première puce semi-conductrice et une seconde borne (62) interposée entre le second corps métallique et la seconde puce semi-conductrice. Dans une direction perpendiculaire à la direction opposée, un coefficient de dilatation linéaire de la seconde borne est inférieur à un coefficient de dilatation linéaire de la première borne. Avec un premier total total pris comme étant la somme totale des produits des épaisseurs des éléments et du coefficient de dilatation linéaire dans la direction opposée en termes d'une première ligne virtuelle qui est parallèle à la direction en vis-à-vis et qui traverse une région chevauchant la première borne dans une vue de projection dans la direction opposée, et avec un second total total pris comme étant la somme totale des produits des épaisseurs des éléments et du coefficient de dilatation linéaire dans la direction opposée en termes de seconde ligne virtuelle qui est parallèle à la direction opposée et qui traverse une région chevauchant la seconde borne, la seconde somme totale étant supérieure ou égale à la première somme totale.
(JA)
半導体装置は、第1金属体(41)と、第1金属体と対向するように配置された第2金属体(42)と、対向領域に配置され、Si基板に第1素子が形成された第1半導体チップ(51)、及び、SiC基板に第2素子が形成された第2半導体チップ(52)と、第2金属体と第1半導体チップとの間に第1ターミナル(61)、及び、第2半導体チップとの間に介在する第2ターミナル(62)と、を備える。対向方向との直交方向において、第2ターミナルの線膨張係数は第1ターミナルよりも小さく、対向方向の投影視において第1ターミナルと重なる領域を通り、対向方向に平行な第1仮想線上において、各部材の厚みと対向方向の線膨張係数との積の総和を第1総和とし、第2ターミナルと重なる領域を通り、対向方向に平行な第2仮想線上において、各部材の厚みと対向方向の線膨張係数との積の総和を第2総和とすると、第2総和は第1総和以上である。
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