処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

Goto Application

1. WO2020075599 - 窒化物半導体膜の形成方法

公開番号 WO/2020/075599
公開日 16.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/038987
国際出願日 02.10.2019
IPC
H01L 21/203 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
203物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
C23C 14/06 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
CPC
C23C 14/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
C23C 14/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
H01L 21/203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
203using physical deposition, e.g. vacuum deposition, sputtering
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • 国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSITY [JP]/[JP]
発明者
  • 高橋 伸明 TAKAHASHI, Nobuaki
  • 三浦 仁嗣 MIURA, Hitoshi
  • 根石 浩司 NEISHI, Koji
  • 片山 竜二 KATAYAMA, Ryuji
  • 森 勇介 MORI, Yusuke
  • 今西 正幸 IMANISHI, Masayuki
代理人
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
優先権情報
2018-19124209.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD OF PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR FILM
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN FILM SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE
(JA) 窒化物半導体膜の形成方法
要約
(EN)
This method of producing a nitride semiconductor film includes a step of intermittently sputtering a target of gallium nitride inside a vacuum chamber containing nitrogen and argon, and a step of depositing sputtered particles of the gallium nitride that has scattered from the target inside the vacuum chamber on a substrate that has a temperature of 560 to 650°C. The ratio of the nitrogen flow relative to the sum of the nitrogen flow and argon flow supplied to the vacuum chamber is 6 to 18%.
(FR)
Ce procédé de production d'un film semi-conducteur de nitrure comprend une étape consistant à pulvériser par intermittence une cible de nitrure de gallium à l'intérieur d'une chambre à vide contenant de l'azote et de l'argon, et une étape consistant à déposer des particules pulvérisées du nitrure de gallium qui a diffusé à partir de la cible à l'intérieur de la chambre à vide sur un substrat qui a une température de 560 à 650 °C. Le rapport de l'écoulement d'azote par rapport à la somme de l'écoulement d'azote et de l'écoulement d'argon fourni à la chambre à vide est de 6 à 18 %.
(JA)
窒化物半導体膜の形成方法は、窒素及びアルゴンを含む真空チャンバ内で窒化ガリウムのターゲットを間欠的にスパッタする工程と、真空チャンバ内でターゲットから飛散した窒化ガリウムのスパッタ粒子を、温度が560℃以上650℃以下の対象物上に堆積させる工程と、を有する。真空チャンバに供給する窒素の流量とアルゴンの流量との和に対する窒素の流量の割合を6%以上18%以下とする。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報