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1. WO2020075500 - ゲート駆動装置

公開番号 WO/2020/075500
公開日 16.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/037561
国際出願日 25.09.2019
IPC
H02M 1/08 2006.01
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1変換装置の細部
08静止型変換器に用いられる半導体装置の制御電圧の発生に用いられる回路
H03K 17/08 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
08過電流または過電圧に対するスイッチ回路の保護のための変形
H03K 17/082 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
08過電流または過電圧に対するスイッチ回路の保護のための変形
082出力回路から制御回路への帰還によるもの
H03K 17/567 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
51特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの
56能動素子として半導体装置を用いるもの
567二以上の形式の半導体装置の使用に特徴づけられた回路,例.BIMOSまたはIGBTのような複合装置
H03K 17/687 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
51特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの
56能動素子として半導体装置を用いるもの
687装置が電界効果トランジスタであるもの
CPC
H02M 1/08
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1Details of apparatus for conversion
08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
H03K 17/08
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
H03K 17/082
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
082by feedback from the output to the control circuit
H03K 17/567
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
567Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
H03K 17/687
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
687the devices being field-effect transistors
出願人
  • 株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 秋山 博則 AKIYAMA, Hironori
  • 丹羽 章雅 NIWA, Akimasa
  • 山本 昌弘 YAMAMOTO, Masahiro
代理人
  • 特許業務法人 サトー国際特許事務所 SATO INTERNATIONAL PATENT FIRM
優先権情報
2018-19343012.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) GATE DRIVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ATTAQUE DE GRILLE
(JA) ゲート駆動装置
要約
(EN)
This gate drive device comprises: a drive unit (10, 125) on one side, a peak voltage detection unit (14) on the other side, and a drive capability control unit (12) on one side. The drive unit on one side drives a gate of the switching element (5, 113, 123) on one side of two switching elements (5, 6, 93, 103, 113, 114, 123) constituting upper and lower arms of a half bridge circuit (4, 92). The peak voltage detection unit on the other side detects a peak voltage of a main terminal of the switching element (6, 93, 114) on the other side when the switching element on one side is turned on. The drive capability control unit on one side calculates a value of the drive capability when the drive unit on one side is turned on, in a range where the peak voltage of the main terminal detected by the peak voltage detection unit on the other side does not exceed an allowable value of the voltage of the main terminal determined according to the specification of the switching element on the other side, and changes the drive capability on the basis of the calculation result, when the drive unit on one side is turned on.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif d'attaque de grille comprenant : une unité d'attaque (10, 125) sur un côté, une unité de détection de tension de crête (14) sur l'autre côté, et une unité de commande de capacité d'attaque (12) sur un côté. L'unité d'attaque sur un côté commande une grille de l'élément de commutation (5, 113, 123) sur un côté de deux éléments de commutation (5, 6, 93 103, 113, 114, 123) constituant des bras supérieur et inférieur d'un circuit en demi-pont (4, 92). L'unité de détection de tension de crête sur l'autre côté détecte une tension de crête d'une borne principale de l'élément de commutation (6, 93 114) de l'autre côté lorsque l'élément de commutation sur un côté est allumé. L'unité de commande de capacité d'attaque sur un côté calcule une valeur de la capacité d'attaque lorsque l'unité d'attaque sur un côté est activée, dans une plage où la tension de crête du terminal principal détectée par l'unité de détection de tension de crête sur l'autre côté ne dépasse pas une valeur admissible de la tension du terminal principal déterminée en fonction de la spécification de l'élément de commutation sur l'autre côté, et modifie la capacité d'attaque sur la base du résultat de calcul, lorsque l'unité d'attaque sur un côté est activée.
(JA)
ゲート駆動装置は、一方の駆動部(10、125)と他方のピーク電圧検出部(14)と一方の駆動能力制御部(12)とを備える。前記一方の駆動部は、ハーフブリッジ回路(4、92)の上下アームを構成する2つのスイッチング素子(5、6、93、103、113、114、123)のうち一方のスイッチング素子(5、113、123)のゲートを駆動する。前記他方のピーク電圧検出部は、前記一方のスイッチング素子のターンオン時における他方のスイッチング素子(6、93、114)の主端子のピーク電圧を検出する。前記一方の駆動能力制御部は、前記他方のピーク電圧検出部により検出される主端子のピーク電圧が前記他方のスイッチング素子の仕様に応じて定まる前記主端子の電圧の許容値を超えることが無い範囲で前記一方の駆動部のターンオン時における駆動能力の値を演算するとともに、その演算結果に基づいて前記一方の駆動部のターンオン時における駆動能力を変更する。
他の公開
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