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1. WO2020075448 - 半導体シリコンウェーハの洗浄処理装置および洗浄方法

公開番号 WO/2020/075448
公開日 16.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/036261
国際出願日 17.09.2019
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 五十嵐 健作 IGARASHI Kensaku
代理人
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio
  • 小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro
優先権情報
2018-19267211.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR SILICON WAFER CLEANING TREATMENT APPARATUS AND CLEANING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE NETTOYAGE DE PLAQUETTE DE SILICIUM SEMI-CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE
(JA) 半導体シリコンウェーハの洗浄処理装置および洗浄方法
要約
(EN)
The present invention is a semiconductor silicon wafer cleaning method characterized by comprising: a post-grinding ozone water treatment step of immersing a ground semiconductor silicon wafer in ozone water; a step of performing a first ultrasonic/ozone water treatment in which the wafer is immersed in the ozone water and cleaned at room temperature while ultrasonic waves are applied; and a step, after the step of performing the first ultrasonic/ozone water treatment, of performing a second ultrasonic/ozone water treatment in which the semiconductor silicon wafer is withdrawn from the ozone water, a wafer spinning treatment is performed in which the wafer is spun, and the wafer is again immersed in ozone water and cleaned at room temperature while ultrasonic waves are applied, wherein the step of performing the second ultrasonic/ozone water treatment is performed at least once; and a hydrofluoric acid treatment step and an ozone water treatment step are performed. As a result, there are provided a semiconductor silicon wafer cleaning method and cleaning treatment apparatus that are capable of: suppressing the formation of projection-shaped defects on the surface of the wafer and roughening of the surface, thereby improving wafer quality; and reducing costs compared to existing technology.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de nettoyage de plaquette de silicium semi-conductrice qui est caractérisé en ce qu’il consiste : en ce qu’une étape de traitement à l’eau d’ozone post-meulage consistant à immerger une plaquette de silicium semi-conductrice meulée dans de l’eau d’ozone ; en ce qu’une étape consistant à procéder à un premier traitement aux ultrasons/à l’eau d’ozone dans laquelle la plaquette est immergée dans l’eau d’ozone et nettoyée à température ambiante tandis que des ondes ultrasoniques sont appliquées ; et en ce qu’une étape, après l’étape consistant à procéder au premier traitement aux ultrasons/à l’eau d’ozone, consistant à procéder à un deuxième traitement aux ultrasons/à l’eau d’ozone dans laquelle la plaquette de silicium semi-conductrice est retirée de l’eau d’ozone, un traitement de rotation de plaquette dans lequel on fait tourner la plaquette est mis en œuvre, et la plaquette est de nouveau immergée dans l’eau d’ozone et nettoyée à température ambiante tandis que des ondes ultrasoniques sont appliquées, l’étape consistant à procéder au deuxième traitement aux ultrasons/à l’eau d’ozone étant mise en œuvre au moins une fois ; et en ce qu’une étape de traitement à l’acide fluorhydrique et une étape de traitement à l’eau d’ozone sont mises en œuvre. Par conséquent, l’invention concerne un procédé de nettoyage de plaquette de silicium semi-conductrice et un appareil de traitement de nettoyage qui peuvent : supprimer la formation de défauts en saillie sur la surface de la plaquette et de rugosification de la surface, améliorant ainsi la qualité de la plaquette ; et réduire les coûts par rapport à la technologie existante.
(JA)
本発明は、研磨後の半導体シリコンウェーハをオゾン水に浸漬する研磨後のオゾン水処理工程と、オゾン水に浸漬するとともに、超音波を印加しながら常温で洗浄する第一の超音波オゾン水処理を行う工程と、第一の超音波オゾン水処理を行う工程後、半導体シリコンウェーハをオゾン水から引き出し、回転させるウェーハ回転処理を行い、再び、オゾン水に浸漬するとともに、超音波を印加しながら常温で洗浄する第二の超音波オゾン水処理を行う工程とを有し、第二の超音波オゾン水処理を行う工程を1回以上行い、フッ酸処理工程と、オゾン水処理工程とを行うことを特徴とする半導体シリコンウェーハの洗浄方法である。これにより、ウェーハ面上の突起状の欠陥の発生や表面粗さの悪化を抑制してウェーハ品質を向上させることができ、また、従来よりも、コストを削減することができる半導体シリコンウェーハの洗浄方法及び洗浄処理装置が提供される。
他の公開
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