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1. WO2020075410 - 半導体装置、表示装置及び電子機器

公開番号 WO/2020/075410
公開日 16.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/033812
国際出願日 28.08.2019
IPC
H05B 33/04 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
02細部
04封止装置
G02B 5/20 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
5レンズ以外の光学要素
20フィルター
G09F 9/00 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
H01L 27/32 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
32光放出に特に適用される構成部品を有するもの,例.有機発光ダイオードを使用したフラットパネル・ディスプレイ
H01L 51/50 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H05B 33/02 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
02細部
CPC
G02B 5/20
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5Optical elements other than lenses
20Filters
G09F 9/00
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
9Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
H01L 27/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
H01L 51/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
H05B 33/02
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Electroluminescent light sources
02Details
H05B 33/04
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Electroluminescent light sources
02Details
04Sealing arrangements ; , e.g. against humidity
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 土岡 弘明 TSUCHIOKA, Hiroaki
  • 元山 陽介 MOTOYAMA, Yosuke
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2018-19360412.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置、表示装置及び電子機器
要約
(EN)
The present invention provides a semiconductor device which has a multilayer structure wherein a first substrate (500) that is provided with a light emitting element and a second substrate (100) that is provided with a light-blocking member in the outer periphery are stacked with each other. This semiconductor device is configured such that the multilayer structure comprises: a first resin (400) which is formed of a photocurable resin and seals the space between the first substrate (500) and the second substrate (100) in a pixel region that is positioned in the center of the multilayer structure when viewed in plan; a second resin (402) which seals the space between the first substrate (500) and the second substrate (100) in a light-blocking region that is positioned in the outer periphery of the multilayer structure when viewed in plan; and a projection structure (310) which is provided between the first substrate (500) and the second substrate (100) in the boundary region between the pixel region and the light-blocking region, and which is formed of a transparent or translucent material that transmits light.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui a une structure multicouche dans laquelle un premier substrat (500) qui est pourvu d'un élément électroluminescent et un second substrat (100) qui est pourvu d'un élément de blocage de lumière dans la périphérie externe sont empilés les uns avec les autres. Ce dispositif à semi-conducteur est conçu de telle sorte que la structure multicouche comprend : une première résine (400) qui est formée d'une résine photodurcissable et scelle l'espace entre le premier substrat (500) et le second substrat (100) dans une région de pixel qui est positionnée au centre de la structure multicouche lorsqu'elle est vue en plan ; une seconde résine (402) qui scelle l'espace entre le premier substrat (500) et le second substrat (100) dans une région de blocage de lumière qui est positionnée dans la périphérie externe de la structure multicouche lorsqu'elle est vue en plan ; et une structure de projection (310) qui est disposée entre le premier substrat (500) et le second substrat (100) dans la région de limite entre la région de pixel et la région de blocage de lumière, et qui est formée d'un matériau transparent ou translucide qui transmet de la lumière.
(JA)
発光素子が設けられた第1の基板(500)と、外周に遮光部材が設けられた第2の基板(100)とが互いに積層された積層構造を備え、前記積層構造は、前記積層構造の平面視における中央に位置する画素領域において前記第1の基板(500)と前記第2の基板(100)との間を封止する光硬化性樹脂からなる第1の樹脂(400)と、前記積層構造の平面視における外周に位置する遮光領域において前記第1の基板(500)と前記第2の基板(100)との間を封止する第2の樹脂(402)と、前記画素領域と前記遮光領域との間の境界領域において、前記第1の基板(500)と前記第2の基板(100)との間に設けられ、光を透過する透明又は半透明な材料からなる突起構造(310)と、を有する、半導体装置を提供する。
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