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1. WO2020075388 - 固体撮像装置及び電子機器

公開番号 WO/2020/075388
公開日 16.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/032182
国際出願日 16.08.2019
IPC
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H01L 21/3205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H01L 21/768 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 23/522 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H04N 5/369 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
CPC
H01L 21/3205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
H01L 21/768
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
H01L 23/522
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 秋山 健太郎 AKIYAMA Kentaro
  • 藤曲 潤一郎 FUJIMAGARI Junichiro
代理人
  • 渡邊 薫 WATANABE Kaoru
優先権情報
2018-19245111.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置及び電子機器
要約
(EN)
Provided is a solid-state imaging device that can achieve a further improvement in quality. Provided is a solid-state imaging device comprising a first semiconductor element, a second semiconductor element, and a first guard ring. The first semiconductor element includes: a first semiconductor layer provided with a photoelectric conversion unit that photoelectrically converts incident light, and a first through via; a connection unit that is wider than the first through via provided outside a region where the photoelectric conversion unit is provided on a surface of the first semiconductor layer on a side at which light is received; a connection wire that is provided on the surface and connects the first through via and the connection unit; and a first passivation layer formed on the surface side. The second semiconductor element is mounted on the first semiconductor element by means of the connection unit. The first guard ring formed on an outer peripheral portion of the first semiconductor element to surround the first semiconductor element. At least a portion of the first guard ring is disposed outside the first semiconductor layer and above the second semiconductor layer formed substantially in the same layer as the first semiconductor layer, and the first guard ring is disposed outside the first passivation layer and below a second passivation layer formed substantially in the same layer as the first passivation layer.
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteur qui peut réaliser une amélioration supplémentaire de la qualité. L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteur comprenant un premier élément semi-conducteur, un second élément semi-conducteur, et une première bague de protection. Le premier élément semi-conducteur comprend : une première couche semi-conductrice comprenant une unité de conversion photoélectrique qui convertit de manière photoélectrique la lumière incidente, et un premier trou d'interconnexion traversant ; une unité de connexion qui est plus large que le premier trou d'interconnexion traversant disposée à l'extérieur d'une région où l'unité de conversion photoélectrique est disposée sur une surface de la première couche semi-conductrice sur un côté où la lumière est reçue ; un fil de connexion qui est disposé sur la surface et relie le premier trou d'interconnexion traversant et l'unité de connexion ; et une première couche de passivation formée sur le côté de surface. Le second élément semi-conducteur est monté sur le premier élément semi-conducteur au moyen de l'unité de connexion. La première bague de protection est formée sur une partie périphérique externe du premier élément semi-conducteur pour entourer le premier élément semi-conducteur. Au moins une partie de la première bague de protection est disposée à l'extérieur de la première couche semi-conductrice et au-dessus de la seconde couche semi-conductrice formée sensiblement dans la même couche que la première couche semi-conductrice, et la première bague de protection est disposée à l'extérieur de la première couche de passivation et au-dessous d'une seconde couche de passivation formée sensiblement dans la même couche que la première couche de passivation.
(JA)
更なる品質の向上を実現することができる固体撮像装置を提供すること。 入射した光を光電変換する光電変換部と第1貫通ビアとが設けられた第1半導体層と、第1半導体層の光を受光する側の面における該光電変換部が設けられた領域外に設けられた第1貫通ビアよりも幅の広い接続部と、面に設けられ、第1貫通ビア及び接続部を接続する接続配線と、該面側に形成された第1パッシベーション層と、を有する第1半導体素子と、接続部により第1半導体素子に実装された第2半導体素子と、第1半導体素子を囲むように第1半導体素子の外周部に形成された第1ガードリングとを備え、第1ガードリングの少なくとも一部が、第1半導体層の外側であって第1半導体層と略同一層に形成された第2半導体層の上方に配されて、第1ガードリングが第1パッシベーション層の外側であって第1パッシベーション層と略同一層に形成された第2パッシベーション層の下方に配されている固体撮像装置を提供する。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報