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1. WO2020075221 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/075221
公開日 16.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/037561
国際出願日 09.10.2018
IPC
H01L 21/822 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 27/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
CPC
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 塚原 良洋 TSUKAHARA, Yoshihiro
代理人
  • 高田 守 TAKADA, Mamoru
  • 高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
Provided is a semiconductor substrate having a first surface and a second surface opposite the first surface. A concave part is formed on the second surface of the semiconductor substrate. A part of the semiconductor substrate is made thinner than other portions by the concave part. A transistor facing the concave part is formed in the semiconductor substrate. A metal coating is provided in the concave part on the second surface. The metal coating is formed in the concave part without filling the concave part. The metal coating is an exposed portion.
(FR)
L’invention concerne un substrat semi-conducteur ayant une première surface et une deuxième surface opposée à la première surface. Une partie concave est formée sur la deuxième surface du substrat semi-conducteur. Une partie du substrat semi-conducteur est réalisée de manière à être plus mince que les autres parties par la partie concave. Un transistor faisant face à la partie concave est formé dans le substrat semi-conducteur. Un revêtement de métal est appliqué dans la partie concave sur la deuxième surface. Le revêtement de métal est formé dans la partie concave sans remplir la partie concave. Le revêtement de métal est une partie découverte.
(JA)
第1面と、該第1面に対向する第2面とを有する半導体基板を備える。該半導体基板の該第2面には凹部が形成されている。該凹部により該半導体基板の一部が他の部分と比べて薄くなっている。該半導体基板の内部には該凹部と対向しているトランジスタが形成されている。該第2面の該凹部には金属コーティングが設けられている。この金属コーティングは該凹部を埋めることなく該凹部に形成されている。該金属コーティングは露出した部分である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報