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1. WO2020075010 - 音源分離装置、半導体装置、および、電子機器

公開番号 WO/2020/075010
公開日 16.04.2020
国際出願番号 PCT/IB2019/058364
国際出願日 02.10.2019
IPC
H04R 3/00 2006.01
H電気
04電気通信技術
Rスピーカ,マイクロホン,蓄音機ピックアップまたは類似の音響電気機械変換器;補聴器;パブリックアドレスシステム
3変換器のための回路
H01L 21/8234 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
H01L 21/8242 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
8242ダイナミックランダムアクセスメモリ構造(DRAM)
H01L 27/06 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
06複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの
H01L 27/088 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
081種類の半導体構成部品だけを含むもの
085電界効果構成部品のみを含むもの
088構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの
H01L 27/108 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
108ダイナミックランダムアクセスメモリ構造
CPC
H01L 21/8234
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
H01L 27/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
H01L 27/088
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
088the components being field-effect transistors with insulated gate
H01L 27/108
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
H03M 1/12
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
1Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
12Analogue/digital converters
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 廣瀬丈也 HIROSE, Takeya
  • 池田隆之 IKEDA, Takayuki
優先権情報
2018-19287711.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOUND SOURCE SEPARATION DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT
(FR) DISPOSITIF DE SÉPARATION DE SOURCE SONORE, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 音源分離装置、半導体装置、および、電子機器
要約
(EN)
Provided is a semiconductor device that, while not requiring an A/D conversion circuit, can perform sound source separation without converting an analog signal. The semiconductor device has a plurality of microphones, a plurality of delay circuits, and a signal processing circuit. The plurality of microphones are electrically connected to delay circuits, respectively, and output signals of the plurality of delay circuits are input to a signal processing circuit. The delay circuit has a plurality of signal holding circuits that can hold an analog potential, and functions to hold an electric signal output from the microphone as a discrete analog signal in the signal holding circuit, and to output the signal at a time different from a time when the microphone outputs the signal. The signal processing circuit has the function of combining the output signals of the plurality of delay circuits.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui, tout en ne nécessitant pas de circuit de conversion A/N, peut réaliser une séparation de source sonore sans convertir un signal analogique. Le dispositif à semi-conducteur comprend une pluralité de microphones, une pluralité de circuits à retard et un circuit de traitement de signal. La pluralité de microphones sont électriquement connectés à des circuits à retard, respectivement, et des signaux de sortie de la pluralité de circuits à retard sont entrés dans un circuit de traitement de signal. Le circuit à retard comprend une pluralité de circuits de maintien de signal qui peuvent maintenir un potentiel analogique, et des fonctions pour maintenir un signal électrique délivré par le microphone en tant que signal analogique discret dans le circuit de maintien de signal et pour délivrer le signal à un instant différent de l'instant où le microphone délivre le signal. Le circuit de traitement de signal a pour fonction de combiner les signaux de sortie de la pluralité de circuits à retard.
(JA)
A/D変換回路を必要とせず、アナログ信号のまま音源分離を行うことができる、半導体装置を提 供する。 半導体装置は、複数のマイクロホンと、複数の遅延回路と、信号処理回路とを有する。複数のマイ クロホンは、それぞれ遅延回路と電気的に接続され、複数の遅延回路の出力信号は、信号処理回路 に入力される。遅延回路は、アナログ電位を保持できる信号保持回路を複数有し、マイクロホンが 出力した電気信号を、離散的なアナログ信号として信号保持回路に保持し、マイクロホンが出力し た時刻とは異なる時刻に出力する機能を有する。信号処理回路は、複数の遅延回路の出力信号を、 足し合わせる機能を有する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報