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1. WO2020071450 - レーザ加工方法、半導体デバイス製造方法及び検査装置

公開番号 WO/2020/071450
公開日 09.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/038994
国際出願日 02.10.2019
IPC
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
B23K 26/00 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
B23K 26/53 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
50レーザービームに対して透明である加工物の加工
53加工物の内部に改質または変質部を形成するためのもの,例.破断の起点となる亀裂の形成
B24B 7/00 2006.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
7平担なガラス面の研磨を含む工作物の平面を研削するために設計された機械または装置;そのための附属装置
B24B 49/12 2006.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
49研削工具または工作物の送り運動を制御するための計測装置;指示または計測装置の構成,例.研削開始を指示するもの
12光学的装置を有するもの
CPC
B23K 26/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
B23K 26/53
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
53for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
B24B 49/12
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
49Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
12involving optical means
B24B 7/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
7Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
出願人
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 坂本 剛志 SAKAMOTO Takeshi
  • 鈴木 康孝 SUZUKI Yasutaka
  • 佐野 いく SANO Iku
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi
優先権情報
2018-18930804.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LASER PROCESSING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND INSPECTING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU LASER, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'INSPECTION
(JA) レーザ加工方法、半導体デバイス製造方法及び検査装置
要約
(EN)
This inspecting device is provided with: a stage supporting a wafer in which a plurality of modified regions have been formed inside a semiconductor substrate; a light source for outputting light that is transparent with respect to the semiconductor substrate; an objective lens which allows light that has propagated through the semiconductor substrate to pass; a light detecting unit for detecting light that has passed through the objective lens; and an inspecting unit for inspecting whether a distal end of a crack extending from the modified region closest to a top surface of the semiconductor substrate toward the top surface exists in an inspection region between the modified region closest to the top surface and the top surface. The objective lens causes a virtual focal point, symmetrical with the focal point in relation to the top surface, to be positioned within the inspection region. The light detecting unit detects, from a rear surface side of the semiconductor substrate via the top surface thereof, light that propagates through the semiconductor substrate to the rear surface side.
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'inspection comprenant : un étage supportant une tranche dans laquelle une pluralité de régions modifiées ont été formées à l'intérieur d'un substrat semi-conducteur ; une source de lumière pour émettre de la lumière qui est transparente par rapport au substrat semi-conducteur ; une lentille d'objectif qui permet à la lumière qui s'est propagée à travers le substrat semi-conducteur de passer ; une unité de détection de lumière pour détecter la lumière qui a traversé la lentille d'objectif ; et une unité d'inspection pour inspecter si une extrémité distale d'une fissure s'étendant depuis la région modifiée la plus proche d'une surface supérieure du substrat semi-conducteur vers la surface supérieure existe dans une région d'inspection entre la région modifiée la plus proche de la surface supérieure et la surface supérieure. La lentille d'objectif amène un point focal virtuel, symétrique au point focal par rapport à la surface supérieure, à être positionné à l'intérieur de la région d'inspection. L'unité de détection de lumière détecte, à partir d'un côté de surface arrière du substrat semi-conducteur par l'intermédiaire de la surface supérieure de celui-ci, de la lumière qui se propage à travers le substrat semi-conducteur vers le côté de surface arrière.
(JA)
検査装置は、半導体基板の内部に複数列の改質領域が形成されたウェハを支持するステージと、半導体基板に対して透過性を有する光を出力する光源と、半導体基板を伝搬した光を通過させる対物レンズと、対物レンズを通過した光を検出する光検出部と、半導体基板の表面に最も近い改質領域と表面との間の検査領域に、表面に最も近い改質領域から表面側に延びる亀裂の先端が存在するか否かを検査する検査部と、を備える。対物レンズは、表面に関して焦点と対称な仮想焦点を検査領域内に位置させる。光検出部は、半導体基板の裏面側から表面を介して裏面側に半導体基板を伝搬する光を検出する。
他の公開
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