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1. WO2020071422 - 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品

公開番号 WO/2020/071422
公開日 09.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/038900
国際出願日 02.10.2019
IPC
G03F 7/027 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
027炭素-炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物,例.エチレン化合物
C08F 290/00 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
290脂肪族不飽和の末端基または側基の導入により変性された重合体に,単量体を重合させて得られる高分子化合物
G03F 7/004 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
G03F 7/40 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
40画像様除去後の処理,例.加熱
CPC
C08F 290/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
290Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
G03F 7/004
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
G03F 7/027
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
G03F 7/40
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
出願人
  • 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 HITACHI CHEMICAL DUPONT MICROSYSTEMS, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 東 綾香 AZUMA, Ayaka
  • 阿部 悟志 ABE, Satoshi
  • 山崎 範幸 YAMAZAKI, Noriyuki
代理人
  • 特許業務法人平和国際特許事務所 HEIWA INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2018-18842803.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PRODUCTION METHOD FOR PATTERNED CURED FILM, CURED FILM, INTERLAYER INSULATING FILM, COVER COAT LAYER, SURFACE PROTECTION FILM, AND ELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM DURCI À MOTIF, FILM DURCI, FILM ISOLANT INTERCOUCHE, COUCHE DE REVÊTEMENT DE COUVERTURE, FILM DE PROTECTION DE SURFACE ET COMPOSANT ÉLECTRONIQUE
(JA) 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品
要約
(EN)
A photosensitive resin composition according to the present invention includes (A) a polyimide precursor having a polymerizable unsaturated bond, (B) a compound represented by formula (1), (C) a photopolymerization initiator, and (D) a thermal radical generator. (In formula (1), A represents a divalent organic group and does not include an acrylic group or a methacrylic group, R1-R4 independently represent a hydrogen atom or a C1-4 aliphatic hydrocarbon group, n1 and n2 independently represent integers from 1 to 20, and m1 and m2 independently represent 0 or 1.)
(FR)
Une composition de résine photosensible selon la présente invention comprend (A) un précurseur de polyimide ayant une liaison insaturée polymérisable, (B) un composé représenté par la formule (1), (C) un initiateur de photopolymérisation et (D) un générateur de radicaux thermiques. (Dans la formule (1), A représente un groupe organique divalent et ne comprend pas de groupe acrylique ou de groupe méthacrylique, R1-R4 représentent indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe hydrocarboné aliphatique en C1-4, n1 et n2 représentent indépendamment des nombres entiers de 1 à 20, et m1 et m2 représentent indépendamment 0 ou 1.)
(JA)
(A)重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体と、(B)下記式(1)で表される化合物と、(C)光重合開始剤と、(D)熱ラジカル発生剤と、を含む感光性樹脂組成物。(式(1)中、Aは2価の有機基であり、アクリル基又はメタアクリル基を含まない。R~Rは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基である。n1及びn2は、それぞれ独立に、1~20の整数である。m1及びm2は、それぞれ独立に、0又は1である。)
国際事務局に記録されている最新の書誌情報