処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

Goto Application

1. WO2020071339 - 基板の製造方法、組成物及び重合体

公開番号 WO/2020/071339
公開日 09.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/038636
国際出願日 30.09.2019
IPC
C23C 18/18 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
18液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ
16還元または置換によるもの,例.無電解メッキ
18被覆される材料の前処理
B32B 15/08 2006.01
B処理操作;運輸
32積層体
B積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
15本質的に金属からなる積層体
04層の主なまたは唯一の構成要素が金属からなり,特定物質の他の層に隣接したもの
08合成樹脂の層に隣接したもの
C08F 8/00 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
8後処理による化学的変性
C08L 101/02 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L高分子化合物の組成物
101不特定の高分子化合物の組成物
02特定の基の存在に特徴のあるもの
H01L 21/288 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
288液体からの析出,例.電解液からの析出
CPC
B32B 15/08
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
15Layered products comprising ; a layer of; metal
04comprising metal as the main or only constituent of a layer, ; which is next to another layer of the same or of a different material
08of synthetic resin
C08F 8/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
8Chemical modification by after-treatment
C08L 101/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
101Compositions of unspecified macromolecular compounds
02characterised by the presence of specified groups ; , e.g. terminal or pendant functional groups
C23C 18/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
16by reduction or substitution, e.g. electroless plating
18Pretreatment of the material to be coated
H01L 21/288
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
288from a liquid, e.g. electrolytic deposition
出願人
  • JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 小松 裕之 KOMATSU Hiroyuki
  • 玉田 美樹 TAMADA Miki
  • 久米川 涼 KUMEGAWA Ryo
  • 酒井 達也 SAKAI Tatsuya
代理人
  • 天野 一規 AMANO Kazunori
優先権情報
2018-18864003.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE, COMPOSITION, AND POLYMER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT, COMPOSITION ET POLYMÈRE
(JA) 基板の製造方法、組成物及び重合体
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide: a method for producing a substrate, by which a substrate having a metal-containing layer on a surface of a metal substrate can be produced simply; a composition; and a polymer. This method for producing a substrate includes a step for coating a composition on a metal substrate and a step for forming a metal-containing layer on at least a part of the coating film formed in the coating step. The method is characterized in that the composition contains a solvent and a polymer having a first terminal structure and a second terminal structure in the same molecule, and each of the first terminal structure and the second terminal structure is selected from the group consisting of a structure represented by formula (1) and a structure represented by formula (2). In formula (1), A1 is a monovalent group containing a functional group able to chemically bond to a metal atom. In formula (2), L2 is -S-, -NR- or -NA22-. A2 and A22 are monovalent groups containing a functional group able to chemically bond to a metal atom.
(FR)
Le but de la présente invention est de fournir : un procédé de production d'un substrat, permettant de produire simplement un substrat ayant une couche contenant un métal sur une surface d'un substrat métallique ; une composition ; et un polymère. Le présent procédé de production de substrat comprend une étape consistant à revêtir une composition sur un substrat métallique et une étape consistant à former une couche contenant un métal sur au moins une partie du film de revêtement formé lors de l'étape de revêtement. Le procédé est caractérisé en ce que la composition contient un solvant et un polymère ayant une première structure terminale et une seconde structure terminale dans la même molécule, et chacune de la première structure terminale et de la seconde structure terminale est choisie dans le groupe constitué par une structure représentée par la formule (1) et une structure représentée par la formule (2). Dans la formule (1), A1 est un groupe monovalent contenant un groupe fonctionnel apte à se lier chimiquement à un atome métallique. Dans la formule (2), L2 est -S-, -NR- ou -NA22-. A2 et A22 sont des groupes monovalents contenant un groupe fonctionnel apte à se lier chimiquement à un atome métallique.
(JA)
金属基板の表面に金属含有層を有する基板を簡便に製造することができる基板の製造方法、組成物及び重合体の提供を目的とする。 本発明は、金属基板上に組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された塗工膜上の少なくとも一部に金属含有層を形成する工程とを備える基板の製造方法であって、上記組成物が溶媒と同一分子上に第1末端構造及び第2末端構造を有する重合体とを含有し、上記第1末端構造及び第2末端構造がそれぞれ下記式(1)で表される構造及び下記式(2)で表される構造からなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする。下記式(1)中、Aは、金属原子と化学結合可能な官能基を含む1価の基である。下記式(2)中、Lは、-S-、-NR-又は-NA22-である。A及びA22は、金属原子と化学結合可能な官能基を含む1価の基である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報