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1. WO2020071320 - 半導体素子および半導体装置

公開番号 WO/2020/071320
公開日 09.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/038533
国際出願日 30.09.2019
IPC
H01L 21/822 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 27/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
CPC
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 冨田 知大 TOMITA Chihiro
  • 平井 友洋 HIRAI Tomohiro
  • 岡本 晋太郎 OKAMOTO Shintaro
  • 江田 健太郎 EDA Kentaro
  • 渡辺 敬 WATANABE Takashi
  • 山口 一樹 YAMAGUCHI Kazuki
  • 笠原 則一 KASAHARA Norikazu
  • 鈴木 康平 SUZUKI Kohei
代理人
  • 松尾 憲一郎 MATSUO Kenichiro
優先権情報
2018-18923004.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子および半導体装置
要約
(EN)
The capacity of a MOS capacitor is increased. This semiconductor element comprises a first semiconductor area, an insulating film, a gate electrode, and a second semiconductor area. The first semiconductor area is positioned on a semiconductor substrate and is provided with recesses on the surface thereof. The insulating film is positioned adjacent to the surface of the first semiconductor area. The gate electrode is positioned adjacent to the insulating film, and a MOS capacitor is formed between the gate electrode and the first semiconductor area. The second semiconductor area is positioned adjacent to the first semiconductor area in the semiconductor substrate and is configured to the same type of electric conductivity as the first semiconductor area, the second semiconductor area supplying carriers to the first semiconductor area during charging and discharging of the MOS capacitor.
(FR)
La capacité d'un condensateur MOS est augmentée. Cet élément semi-conducteur comprend une première zone semi-conductrice, un film isolant, une électrode de grille et une seconde zone semi-conductrice. La première zone semi-conductrice est positionnée sur un substrat semi-conducteur et est pourvue d'évidements sur sa surface. Le film isolant est positionné adjacente à la surface de la première zone semi-conductrice. L'électrode de grille est positionnée adjacente au film isolant et un condensateur MOS est formé entre l'électrode de grille et la première zone semi-conductrice. La seconde zone semi-conductrice est positionnée adjacente à la première zone semi-conductrice dans le substrat semi-conducteur et est configurée sur le même type de conductivité électrique que la première zone semi-conductrice, la seconde zone semi-conductrice fournissant des porteurs à la première zone semi-conductrice pendant la charge et la décharge du condensateur MOS.
(JA)
MOSキャパシタを大容量化する。 半導体素子は、第1の半導体領域、絶縁膜、ゲート電極および第2の半導体領域を具備する。第1の半導体領域は、半導体基板に配置されて表面に凹部を備える。絶縁膜は、第1の半導体領域の表面に隣接して配置される。ゲート電極は、絶縁膜に隣接して配置されて第1の半導体領域との間においてMOSキャパシタを構成する。第2の半導体領域は、半導体基板において第1の半導体領域に隣接して配置されるとともに第1の半導体領域と同じ導電型に構成されてMOSキャパシタの充放電の際に第1の半導体領域にキャリアを供給する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報