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1. WO2020071178 - 半導電性セラミック部材

公開番号 WO/2020/071178
公開日 09.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/037299
国際出願日 24.09.2019
IPC
C04B 35/117 2006.01
C化学;冶金
04セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
01酸化物を基とするもの
10酸化アルミニウムを基とするもの
111ファインセラミックス
117複合組成物
H01L 21/683 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
CPC
C04B 35/117
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
35Shaped ceramic products characterised by their composition
01based on oxide ceramics
10based on aluminium oxide
111Fine ceramics
117Composites
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
出願人
  • 京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 立山 泰治 TATEYAMA,Yasuharu
  • 平野 義宜 HIRANO,Yoshinori
  • 藤田 尚也 FUJITA,Naoya
  • 辻岳 千里 TSUJITAKE,Senri
  • 高坂 祥二 KOHSAKA,Shoji
優先権情報
2018-18753502.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTIVE CERAMIC MEMBER
(FR) ÉLÉMENT EN CÉRAMIQUE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導電性セラミック部材
要約
(EN)
A semiconductive ceramic member according to the present disclosure contains a plurality of aluminum oxide crystal grains and a plurality of titanium oxide crystal grains. The total amount of aluminum oxide and titanium oxide in 100% by mass of all the components is 99% by mass or more. The amount of the aluminum oxide in 100% by mass of the total of the aluminum oxide and the titanium oxide is from 86% by mass to 96% by mass (inclusive); and the amount of the titanium oxide in 100% by mass of the total of the aluminum oxide and the titanium oxide is from 4% by mass to 14% by mass (inclusive). In a measurement by X-ray photoelectron spectroscopy, there is a peak of TiOx (0 < x < 2) within the binding energy range of from 456 eV to 462 eV (inclusive). This semiconductive ceramic member additionally contains silicon; and the content of the silicon in terms of oxide in a first region is higher than the content of the silicon in terms of oxide at the grain boundary.
(FR)
L'invention concerne un élément en céramique semi-conducteur contenant une pluralité de grains cristallins d'oxyde d'aluminium et une pluralité de grains cristallins d'oxyde de titane. La quantité totale d'oxyde d'aluminium et d'oxyde de titane dans 100 % en masse de tous les composants est de 99 % en masse ou plus. La quantité d'oxyde d'aluminium dans 100 % en masse du total de l'oxyde d'aluminium et de l'oxyde de titane est de 86 % en masse à 96 % en masse (inclus) ; et la quantité d'oxyde de titane dans 100 % en masse du total de l'oxyde d'aluminium et de l'oxyde de titane est de 4 % en masse à 14 % en masse (inclus). Dans une mesure par spectroscopie photoélectronique à rayons X, il y a un pic de TiOx (0 < x < 2) dans la plage d'énergie de liaison allant de 456 eV à 462 eV (inclus). Cet élément céramique semi-conducteur contient en outre du silicium ; et la teneur en silicium en termes d'oxyde dans une première région est supérieure à la teneur en silicium en termes d'oxyde au niveau de la limite de grain.
(JA)
本開示の半導電性セラミック部材は、酸化アルミニウム結晶粒子および酸化チタン結晶粒子をそれぞれ複数含有する。また、全成分100質量%のうち、酸化アルミニウムおよび酸化チタンの合計が99質量%以上である。また、前記酸化アルミニウムおよび前記酸化チタンの合計100質量%のうち、前記酸化アルミニウムが86質量%以上96質量%以下であり、前記酸化チタンが4質量%以上14質量%以下である。また、X線光電子分光による測定において、結合エネルギーが456eV以上462eV以下の範囲にTiOx(0<x<2)のピークが存在する。さらに、珪素を含有しており、第1領域における前記珪素の酸化物換算での含有量が、粒界における前記珪素の酸化物換算での含有量よりも多い。
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