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1. WO2020071138 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/071138
公開日 09.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/036740
国際出願日 19.09.2019
IPC
H01L 23/29 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
29材料に特徴のあるもの
H01L 23/34 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
34冷却,加熱,換気または温度補償用装置
H01L 23/48 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
48動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置
H01L 25/07 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
CPC
H01L 23/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
H01L 23/34
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
H01L 23/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
出願人
  • 株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 大島 正範 OOSHIMA Masanori
  • 奥村 知巳 OKUMURA Tomomi
  • 平野 敬洋 HIRANO Takahiro
代理人
  • 金 順姫 JIN Shunji
優先権情報
2018-18740602.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
This semiconductor device is provided with: a semiconductor chip (12) including an active region (124), and an outer peripheral region (125) surrounding the active region; a metal member (18) including, on one surface on the semiconductor chip side thereof, a mounting portion (182) to which the semiconductor chip is mounted, and a peripheral portion (183) surrounding the mounting portion; a joining member (16) which is interposed between the semiconductor chip and the mounting portion to connect the semiconductor chip to the metal member; and a sealing resin body (14) which integrally seals the semiconductor chip, at least one surface of the metal member, and the joining member. The metal member includes as the peripheral portion: an adhered portion (184) which is provided in such a way as to surround the mounting portion, and to which the sealing resin body adheres; and an annular non-adhered portion (185) which is provided between the mounting portion and the adhered portion, to which the joining member is not connected, and which has lower adhesion with respect to the sealing resin body than the adhered portion. In at least a portion of the entire length of the non-adhered portion, the entire width thereof is provided within a region overlapping the semiconductor chip in a projection view in the thickness direction of the semiconductor chip.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : une puce semi-conductrice (12) comprenant une région active (124), et une région périphérique externe (125) entourant la région active ; un élément métallique (18) comprenant, sur une surface sur le côté puce semi-conductrice de celui-ci, une partie de montage (182) sur laquelle est montée la puce semi-conductrice, et une partie périphérique (183) entourant la partie de montage ; un élément de jonction (16) qui est interposé entre la puce semi-conductrice et la partie de montage pour connecter la puce semi-conductrice à l'élément métallique ; et un corps en résine d'étanchéité (14) qui scelle de manière intégrale la puce semi-conductrice, au moins une surface de l'élément métallique, et l'élément de jonction. L'élément métallique comprend, comme partie périphérique : une partie collée (184) qui est disposée de manière à entourer la partie de montage, et à laquelle est collé le corps en résine d'étanchéité ; et une partie annulaire non collée (185) qui est disposée entre la partie de montage et la partie collée, sur laquelle l'élément de jonction n'est pas connecté, et qui a une adhérence inférieure par rapport au corps de résine d'étanchéité que la partie collée. Dans au moins une partie de toute la longueur de la partie non collée, toute la largeur de celle-ci est disposée à l'intérieur d'une région chevauchant la puce semi-conductrice dans une vue de projection dans la direction de l'épaisseur de la puce semi-conductrice.
(JA)
半導体装置は、アクティブ領域(124)と、アクティブ領域を取り囲む外周領域(125)と、を有する半導体チップ(12)と、半導体チップ側の一面に、半導体チップが実装される実装部(182)と、実装部を取り囲む周囲部(183)と、を有する金属部材(18)と、半導体チップと実装部との間に介在し、半導体チップと金属部材とを接続する接合部材(16)と、半導体チップ、金属部材の少なくとも一面、及び接合部材を一体的に封止する封止樹脂体(14)と、を備える。金属部材は、周囲部として、実装部を取り囲むように設けられ、封止樹脂体が密着する密着部(184)と、実装部と密着部との間に設けられ、接合部材が接続されず、密着部よりも封止樹脂体に対する密着性が低くされた環状の非密着部(185)と、を有する。非密着部の全長の少なくとも一部において、幅の全域が、半導体チップの厚み方向の投影視において半導体チップと重なる領域内に設けられている。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報