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1. WO2020071025 - ヘテロエピタキシャル構造体及びその作製方法、並びにヘテロエピタキシャル構造を含む金属積層体及びその作製方法、ナノギャップ電極及びナノギャップ電極の作製方法

公開番号 WO/2020/071025
公開日 09.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/034167
国際出願日 30.08.2019
IPC
C23C 18/44 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
18液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ
16還元または置換によるもの,例.無電解メッキ
31金属による被覆
42貴金属による被覆
44還元剤を用いるもの
B32B 15/01 2006.01
B処理操作;運輸
32積層体
B積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
15本質的に金属からなる積層体
01すべての層がもっぱら金属質であるもの
C23C 18/31 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
18液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ
16還元または置換によるもの,例.無電解メッキ
31金属による被覆
CPC
B32B 15/01
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
15Layered products comprising ; a layer of; metal
01all layers being exclusively metallic
C23C 18/31
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
16by reduction or substitution, e.g. electroless plating
31Coating with metals
C23C 18/44
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
16by reduction or substitution, e.g. electroless plating
31Coating with metals
42Coating with noble metals
44using reducing agents
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP]/[JP]
発明者
  • 真島 豊 MAJIMA Yutaka
  • チェ ユンヨン CHOI YoonYoung
  • 島田 郁子 SHIMADA Ikuko
  • 遠山 諒 TOYAMA Ryo
  • 楊 銘悦 YANG Mingyue
代理人
  • 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ TAKAHASHI, HAYASHI AND PARTNER PATENT ATTORNEYS, INC.
優先権情報
2018-18710902.10.2018JP
2019-00529916.01.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) HETEROEPITAXIAL STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING SAME, METAL LAYERED PRODUCT CONTAINING HETEROEPITAXIAL STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING SAME, AND NANOGAP ELECTRODE AND METHOD FOR PRODUCING NANOGAP ELECTRODE
(FR) STRUCTURE HÉTÉROÉPITAXIALE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, PRODUIT STRATIFIÉ MÉTALLIQUE CONTENANT UNE STRUCTURE HÉTÉROÉPITAXIALE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ET ÉLECTRODE À NANOÉCARTEMENT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLECTRODE À NANOÉCARTEMENT
(JA) ヘテロエピタキシャル構造体及びその作製方法、並びにヘテロエピタキシャル構造を含む金属積層体及びその作製方法、ナノギャップ電極及びナノギャップ電極の作製方法
要約
(EN)
This heteroepitaxial structure includes: a first metal part having a polycrystalline structure; and a second metal part on the first metal part. The second metal part has an island-like structure on the first metal part. The second metal part is provided so as to correspond to at least one crystal grain that is exposed at the surface of the first metal part. The second metal part and at least one crystal grain form a heteroepitaxial boundary. The first metal part preferably contains at least one element selected from among platinum (Pt), palladium (Pd), rhodium (Rd), ruthenium (Ru), osmium (Os) and iridium (Ir). The second metal part is preferably gold (Au).
(FR)
La structure hétéroépitaxiale selon l'invention comprend : une première partie métallique présentant une structure polycristalline ; et une seconde partie métallique sur la première partie métallique. La seconde partie métallique a une structure en forme d'îlot sur la première partie métallique. La seconde partie métallique est disposée de manière à correspondre à au moins un grain cristallin qui est apparent à la surface de la première partie métallique. La seconde partie métallique et au moins un grain cristallin forment une limite hétéroépitaxiale. La première pièce métallique contient de préférence au moins un élément choisi parmi le platine (Pt), le palladium (Pd), le rhodium (Rd), le ruthénium (Ru), l'osmium (Os) et l'iridium (Ir). La seconde partie métallique est de préférence de l'or (Au).
(JA)
ヘテロエピタキシャル構造体は、多結晶構造を有する第1金属部と、第1金属部上の第2金属部と、を有し、第2金属部は第1金属部上で島状構造を有し、第2金属部は第1金属部の表面に露出する少なくとも一つの結晶粒に対応して設けられ、第2金属部と少なくとも一つの結晶粒とはヘテロエピタキシャル界面を形成している。第1金属部は、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rd)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)から選ばれた一種の金属元素を含み、第2金属部は、金(Au)であることが好ましい。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報