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1. WO2020070580 - 半導体装置、および半導体装置の作製方法

公開番号 WO/2020/070580
公開日 09.04.2020
国際出願番号 PCT/IB2019/058061
国際出願日 24.09.2019
IPC
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 21/8239 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
H01L 21/8242 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
8242ダイナミックランダムアクセスメモリ構造(DRAM)
H01L 27/105 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
H01L 27/108 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
108ダイナミックランダムアクセスメモリ構造
H01L 27/1156 2017.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
112リードオンリーメモリ構造
115電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ;そのための多段階製造工程
11517フローティングゲートを有するもの
1156フローティングゲートが複数の構成部品で共有される電極であるもの
CPC
H01L 21/8239
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
8239Memory structures
H01L 27/105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
H01L 27/108
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
H01L 27/1156
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11517with floating gate
1156the floating gate being an electrode shared by two or more components
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei
  • 奥野直樹 OKUNO, Naoki
  • 神保安弘 JINBO, Yasuhiro
優先権情報
2018-19039205.10.2018JP
2018-19039405.10.2018JP
2018-19039705.10.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、および半導体装置の作製方法
要約
(EN)
Provided is a semiconductor device having excellent electrical properties. In the present invention: a first oxide is formed on a substrate; a first insulator is formed on the first oxide; an opening that reaches the first oxide is formed in the first insulator; a first oxide film is formed in the opening so as to make contact with the first oxide and the first insulator; a first insulating film is formed on the first oxide film; microwave treatment is performed from above the first insulating film; heat treatment is performed on one or both of the first insulating film and the first oxide; a first conductive film is formed on the first insulating film; a second oxide, a second insulator and a first conductor are formed by removing a part of the first oxide film, a part of the first insulating film and a part of the first conductive film until the upper surface of the first insulator is exposed; the microwave treatment is performed under reduced pressure and using an oxygen-containing gas; and the heat treatment is performed under reduced pressure.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur ayant d'excellentes propriétés électriques. Dans la présente invention : un premier oxyde est formé sur un substrat ; un premier isolant est formé sur le premier oxyde ; une ouverture qui atteint le premier oxyde est formée dans le premier isolant ; un premier film d'oxyde est formé dans l'ouverture de façon à entrer en contact avec le premier oxyde et le premier isolant ; un premier film isolant est formé sur le premier film d'oxyde ; un traitement par micro-ondes est effectué à partir du dessus du premier film isolant ; un traitement thermique est effectué sur l'un ou les deux parmi le premier film isolant et le premier oxyde ; un premier film conducteur est formé sur le premier film isolant ; un second oxyde, un second isolant et un premier conducteur sont formés par retrait d'une partie du premier film d'oxyde, une partie du premier film isolant et une partie du premier film conducteur jusqu'à ce que la surface supérieure du premier isolant soit exposée ; le traitement par micro-ondes est effectué sous pression réduite et à l'aide d'un gaz contenant de l'oxygène ; et le traitement thermique est effectué sous pression réduite.
(JA)
要約書 良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。 基板上に第1の酸化物を形成し、第1の酸化物上に、第1の絶縁体を形成し、第1の絶縁体に、第 1の酸化物に達する開口を形成し、開口において、第1の酸化物および第1の絶縁体に接するよう に、第1の酸化膜を成膜し、第1の酸化膜上に、第1の絶縁膜を成膜し、第1の絶縁膜上からマイ クロ波処理を行い、第1の絶縁膜及び第1の酸化物のいずれか一方または双方に対して、加熱処理 を行い、第1の絶縁膜上に、第1の導電膜を成膜し、第1の酸化膜の一部、第1の絶縁膜の一部お よび第1の導電膜の一部を、第1の絶縁体の上面が露出するまで除去して、第2の酸化物、第2の 絶縁体および第1の導電体を形成し、マイクロ波処理は、減圧下かつ酸素を含むガスを用いて行い、 加熱処理は、減圧下で行う。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報