処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

Goto Application

1. WO2020067483 - 圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法

公開番号 WO/2020/067483
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/038291
国際出願日 27.09.2019
IPC
H01L 41/187 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
16材料の選択
18圧電または電歪素子用
187セラミック組成物
C23C 14/08 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
08酸化物
H01L 41/053 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02細部
04圧電または電歪素子のもの
053取付具,支持具,囲いまたはケーシング
H01L 41/316 2013.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
31圧電部品または電歪部品,あるいはそれらの本体を,電気素子または他の基板の上に貼付け
314圧電層または電磁層の堆積による,例.エアロゾルまたはスクリーン印刷
316気相堆積による
H01L 41/319 2013.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
31圧電部品または電歪部品,あるいはそれらの本体を,電気素子または他の基板の上に貼付け
314圧電層または電磁層の堆積による,例.エアロゾルまたはスクリーン印刷
319下地膜を用いる方法,例.成長制御
CPC
C23C 14/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
08Oxides
H01L 41/053
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
04of piezo-electric or electrostrictive devices
053Mounts, supports, enclosures or casings
H01L 41/187
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
16Selection of materials
18for piezo-electric or electrostrictive devices ; , e.g. bulk piezo-electric crystals
187Ceramic compositions ; , i.e. synthetic inorganic polycrystalline compounds incl. epitaxial, quasi-crystalline materials
H01L 41/316
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
31Applying piezo-electric or electrostrictive parts or bodies onto an electrical element or another base
314by depositing piezo-electric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
316by vapour phase deposition
H01L 41/319
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
31Applying piezo-electric or electrostrictive parts or bodies onto an electrical element or another base
314by depositing piezo-electric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
319using intermediate layers, e.g. for growth control
出願人
  • 日東電工株式会社 NITTO DENKO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 中村 大輔 NAKAMURA, Daisuke
  • 永岡 直樹 NAGAOKA, Naoki
  • 黒瀬 愛美 KUROSE, Manami
  • 待永 広宣 MACHINAGA, Hironobu
  • 石川 岳人 ISHIKAWA, Taketo
  • 柳谷 隆彦 YANAGITANI, Takahiko
代理人
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
優先権情報
2018-18554928.09.2018JP
2019-17613526.09.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PIEZOELECTRIC DEVICE AND PIEZOELECTRIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法
要約
(EN)
A piezoelectric device is provided which has a high ability to convert between mechanical energy and electrical energy. This piezoelectric device comprises a first electrode layer, a second electrode layer, and a piezoelectric layer arranged between the first electrode layer and the second electrode layer. In the piezoelectric layer, a non-conductive metal is added to a ZnO-base material that has a Wurtzite-type crystal structure, and the square value of the electromechanical coupling coefficient in thickness vibration mode is greater than or equal to 6.5%.
(FR)
L'invention concerne un dispositif piézoélectrique qui a une capacité élevée à convertir une énergie mécanique en une énergie électrique. Le dispositif piézoélectrique comprend une première couche d'électrode, une seconde couche d'électrode, et une couche piézoélectrique située entre la première couche d'électrode et la seconde couche d'électrode. Dans la couche piézoélectrique, un métal non conducteur est ajouté à un matériau à base de ZnO qui a une structure cristalline de type Wurtzite, et la valeur carrée du coefficient de couplage électromécanique dans le mode de vibration d'épaisseur est supérieure ou égale à 6,5 %.
(JA)
機械的エネルギーと電気的エネルギーの間の変換能力の高い圧電デバイスを提供する。圧電デバイスは、第1の電極層と、第2の電極層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層の間上に配置される圧電体層と、を有し、前記圧電体層は、ウルツ鉱型の結晶構造を有するZnO系材料に導電性を発現しない金属が添加されており、厚み振動モードでの電気機械結合係数の二乗値が6.5%以上である。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報