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1. WO2020067401 - 研磨パッド及び研磨加工物の製造方法

公開番号 WO/2020/067401
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/038091
国際出願日 27.09.2019
IPC
B24B 37/24 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
11ラップ工具
20平面を加工するためのラッピングパッド
24パッドの材料の組成または特性に特徴のあるもの
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
B24B 37/24
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
11Lapping tools
20Lapping pads for working plane surfaces
24characterised by the composition or properties of the pad materials
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 富士紡ホールディングス株式会社 FUJIBO HOLDINGS, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 松岡 立馬 MATSUOKA, Ryuma
  • 栗原 浩 KURIHARA, Hiroshi
  • 鳴島 さつき NARUSHIMA, Satsuki
  • ▲高▼見沢 大和 TAKAMIZAWA, Yamato
代理人
  • 稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki
  • 大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi
優先権情報
2018-18471628.09.2018JP
2018-18491528.09.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POLISHING PAD AND METHOD FOR PRODUCING POLISHED ARTICLE
(FR) TAMPON DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ARTICLE POLI
(JA) 研磨パッド及び研磨加工物の製造方法
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide: a polishing pad which is capable of reducing the occurrence of scratches; and a method for producing a polished article. A polishing pad which is provided with a polyurethane sheet as a polishing layer, and which is configured such that the polyurethane sheet has a loss tangent (tan δ) peak within the range of 40-60°C in a submerged state in a dynamic viscoelasticity measurement performed at a frequency of 1.6 Hz at 20-100°C.
(FR)
La présente invention concerne un tampon de polissage capable de réduire la survenue de rayures ; et un procédé de production d'un article poli. Le tampon de polissage est pourvu d'une feuille de polyuréthane en tant que couche de polissage, et est conçu de sorte que la feuille de polyuréthane présente un pic de tangente de perte (tan δ) compris entre 40 et 60 °C dans un état immergé, dans une mesure de viscoélasticité dynamique réalisée à une fréquence de 1,6 Hz à une tempéraure de 20-100° C.
(JA)
スクラッチの発生を低減することのできる研磨パッド及び研磨加工物の製造方法を提供することを目的とする。 研磨層としてポリウレタンシートを備え、浸水状態で、周波数1.6Hz、20~100℃の条件で行う動的粘弾性測定において、前記ポリウレタンシートが、40~60℃の範囲に損失正接tanδのピークを有する、研磨パッド。
他の公開
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