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1. WO2020067330 - 圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法

公開番号 WO/2020/067330
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/037942
国際出願日 26.09.2019
IPC
H01L 41/047 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02細部
04圧電または電歪素子のもの
047電極
C23C 14/08 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
08酸化物
H01L 41/113 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
08圧電または電歪素子
113機械的入力および電気的出力をもつもの
H01L 41/187 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
16材料の選択
18圧電または電歪素子用
187セラミック組成物
CPC
C23C 14/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
08Oxides
H01L 41/047
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
04of piezo-electric or electrostrictive devices
047Electrodes ; or electrical connection arrangements
H01L 41/113
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08Piezo-electric or electrostrictive devices
113with mechanical input and electrical output ; , e.g. generators, sensors
H01L 41/187
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
16Selection of materials
18for piezo-electric or electrostrictive devices ; , e.g. bulk piezo-electric crystals
187Ceramic compositions ; , i.e. synthetic inorganic polycrystalline compounds incl. epitaxial, quasi-crystalline materials
出願人
  • 日東電工株式会社 NITTO DENKO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 永岡 直樹 NAGAOKA, Naoki
  • 中村 大輔 NAKAMURA, Daisuke
  • 黒瀬 愛美 KUROSE, Manami
代理人
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
優先権情報
2018-18554828.09.2018JP
2019-17338424.09.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PIEZOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法
要約
(EN)
The present invention provides: a piezoelectric device which is suppressed in the generation of a leakage path and has good piezoelectric characteristics; and a method for producing this piezoelectric device. According to the present invention, a piezoelectric device is obtained by sequentially stacking, on a base material, a first electrode, a piezoelectric layer and a second electrode in this order; and at least the first electrode is formed of an amorphous oxide conductor.
(FR)
La présente invention concerne : un dispositif piézoélectrique caractérisé par la suppression de la génération d'un trajet de fuite et qui présente de bonnes caractéristiques piézoélectriques ; et un procédé de production de ce dispositif piézoélectrique. Selon la présente invention, un dispositif piézoélectrique est obtenu par empilement séquentiel, sur un matériau de base, d'une première électrode, d'une couche piézoélectrique et d'une seconde électrode dans cet ordre ; et au moins la première électrode est constituée d'un conducteur d'oxyde amorphe.
(JA)
リークパスの発生を抑制し良好な圧電特性を有する圧電デバイスとその製造方法を提供する。圧電デバイスは、基材の上に、第1の電極、圧電体層、及び第2の電極がこの順で積層されており、少なくとも前記第1の電極は、非晶質の酸化物導電体で形成されている。
他の公開
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