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1. WO2020067013 - 複合基板、圧電素子および複合基板の製造方法

公開番号 WO/2020/067013
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/037272
国際出願日 24.09.2019
IPC
H03H 9/25 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
H01L 41/09 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
08圧電または電歪素子
09電気的入力および機械的出力をもつもの
H01L 41/113 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
08圧電または電歪素子
113機械的入力および電気的出力をもつもの
H01L 41/187 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
16材料の選択
18圧電または電歪素子用
187セラミック組成物
H01L 41/312 2013.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
31圧電部品または電歪部品,あるいはそれらの本体を,電気素子または他の基板の上に貼付け
312圧電体または電歪体の積層または接着による
H01L 41/337 2013.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
33圧電体または電歪体の成形または機械加工
335機械加工による
337研磨または研削による
CPC
H01L 41/09
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08Piezo-electric or electrostrictive devices
09with electrical input and mechanical output ; , e.g. actuators, vibrators
H01L 41/113
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08Piezo-electric or electrostrictive devices
113with mechanical input and electrical output ; , e.g. generators, sensors
H01L 41/187
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
16Selection of materials
18for piezo-electric or electrostrictive devices ; , e.g. bulk piezo-electric crystals
187Ceramic compositions ; , i.e. synthetic inorganic polycrystalline compounds incl. epitaxial, quasi-crystalline materials
H01L 41/312
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
31Applying piezo-electric or electrostrictive parts or bodies onto an electrical element or another base
312by laminating or bonding of piezo-electric or electrostrictive bodies
H01L 41/337
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
33Shaping or machining of piezo-electric or electrostrictive bodies
335by machining
337by polishing or grinding
H03H 3/08
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
08for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
出願人
  • 京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 梅原 幹裕 UMEHARA, Motohiro
  • 光田 国文 MITSUDA, Kuniaki
  • 藤本 和良 FUJIMOTO, Kazuyoshi
代理人
  • 特許業務法人ブナ国際特許事務所 BUNA PATENT ATTORNEYS
優先権情報
2018-17880125.09.2018JP
2018-18181427.09.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMPOSITE SUBSTRATE, PIEZOELECTRIC ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE, ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT COMPOSITE
(JA) 複合基板、圧電素子および複合基板の製造方法
要約
(EN)
A composite substrate of the present disclosure comprises: a piezoelectric substrate having a first surface, which is an element forming surface, and a second surface, which is a back surface thereof; a sapphire substrate having a third surface, which is disposed to face the second surface, and a fourth surface, which is a back surface thereof; and an alumina layer that has a fifth surface facing the second surface, and a sixth surface facing the third surface, and joins the second surface and the third surface, wherein the arithmetic average roughness Ra of the third surface is 0.1 μm or more and 0.5 μm or less, and the arithmetic average roughness Ra of the fifth surface is not more than 0.1 μm and smaller than the arithmetic average roughness Ra of the third surface.
(FR)
Un substrat composite selon la présente invention comprend : un substrat piézoélectrique ayant une première surface, qui est une surface de formation d'élément, et une deuxième surface, qui est sa surface arrière ; un substrat de saphir ayant une troisième surface, qui est disposée de manière à faire face à la deuxième surface, et une quatrième surface, qui est sa surface arrière ; et une couche d'alumine qui a une cinquième surface faisant face à la deuxième surface, et une sixième surface faisant face à la troisième surface, et qui joint la deuxième surface et la troisième surface, la rugosité moyenne arithmétique Ra de la troisième surface est supérieure ou égale à 0,1 μm et inférieure ou égale à 0,5 μm, et la rugosité moyenne arithmétique Ra de la cinquième surface est inférieure ou égale à 0,1 μm et inférieure à la rugosité moyenne arithmétique Ra de la troisième surface.
(JA)
本開示の複合基板は、素子形成面である第1面とその裏面である第2面とを有する圧電基板と、第2面と対向して配置される第3面とその裏面である第4面を有するサファイア基板と、第2面と対向する第5面と第3面と対向する第6面を有する。第2面と第3面を接合するアルミナ層とを備え、第3面の算術平均粗さRaは0.1μm以上0.5μm以下である。第5面の算術平均粗さRaは0.1μm以下であるとともに前記第3面の算術平均粗さRaよりも小さい。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報