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1. WO2020066873 - キャリアの摩耗が低減されたシリコンウエハーの研磨方法及びそれに用いる研磨液

公開番号 WO/2020/066873
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/036908
国際出願日 20.09.2019
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B24B 37/00 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
C09K 3/14 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3物質であって,他に分類されないもの
14抗スリップ物質;研摩物質
CPC
B24B 37/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
C09K 3/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 山口 隼人 YAMAGUCHI Hayato
  • 棚次 悠介 TANATSUGU Yusuke
  • 石水 英一郎 ISHIMIZU Eiichiro
代理人
  • 特許業務法人浅村特許事務所 ASAMURA PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
2018-17950825.09.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POLISHING METHOD FOR SILICON WAFER WITH REDUCED WEAR ON CARRIER, AND POLISHING LIQUID USED THEREIN
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE POUR PLAQUETTE DE SILICIUM À USURE RÉDUITE SUR SUPPORT, ET LIQUIDE DE POLISSAGE UTILISÉ DANS CELUI-CI
(JA) キャリアの摩耗が低減されたシリコンウエハーの研磨方法及びそれに用いる研磨液
要約
(EN)
Provided is a method that is for polishing a silicon wafer by a polishing device using a carrier holding the silicon wafer, and that can reduce wear on the carrier. In this polishing method, a polishing liquid used in the polishing device contains 0.1-5 mass%, in terms of the concentration of silica, silica particles comprising: silica particles (A) having an average primary particle size of 4-30 nm as measured by BET, and having an (X2/X1) ratio of 1.2-1.8, where X2 (nm) represents an average particle size along the major axis thereof as calculated from a perspective projection image obtained using an electron beam, and X1 (nm) represents the average primary particle size as measured by BET; and silica particles (B) having an average primary particle size of more than 30 nm but not more than 50 nm as measured by BET, and having a (X2/X1) ratio of 1.2-1.8, where X2 (nm) represents an average particle size along the major axis thereof as calculated from a perspective projection image obtained using an electron beam, and X1 (nm) represents the average primary particle size as measured by BET, wherein the mass ratio of the silica particles (A) to the silica particles (B) is 100:0 to 85:15.
(FR)
La présente invention concerne un procédé qui permet de polir une plaquette de silicium avec un dispositif de polissage utilisant un support maintenant la plaquette de silicium, et qui permet de réduire l'usure sur le support. Dans ce procédé de polissage, un liquide de polissage utilisé dans le dispositif de polissage contient de 0,1 à 5 % en masse, en termes de concentration de silice, des particules de silice comprenant : des particules de silice (A) ayant une taille moyenne de particule primaire de 4 à 30 nm telle que mesurée par BET, et ayant un rapport (X2/X1) de 1,2 à 1,8, X2 (nm) représentant une taille moyenne de particule le long de son axe principal telle que calculée à partir d'une image de projection en perspective obtenue à l'aide d'un faisceau d'électrons, et X1 (nm) représentant la taille moyenne de particule primaire telle que mesurée par BET ; et des particules de silice (B) ayant une taille moyenne de particule primaire supérieure à 30 nm mais inférieure ou égale à 50 nm telle que mesurée par BET, et ayant un rapport (X2/X1) de 1,2 à 1,8, X2 (nm) représentant une taille moyenne de particule le long de son axe principal telle que calculée à partir d'une image de projection en perspective obtenue à l'aide d'un faisceau d'électrons, et X1 (nm) représentant la taille moyenne de particule primaire telle que mesurée par BET, le rapport de masse des particules de silice (A) sur les particules de silice (B) étant de 100:0 à 85:15.
(JA)
シリコンウエハーを保持したキャリアを用いた研磨装置によって当該シリコンウエハーの研磨を行う方法であって、キャリアの摩耗を低減が可能な研磨方法を提供する。 前記研磨装置で用いる研磨液が、BET法で測定される平均一次粒子径が4nm~30nmの粒子径であり、電子線による透過投影像により求めた長軸の平均粒子径を(X2)nmとし、BET法で測定される平均一次粒子径を(X1)nmとしたときの(X2/X1)比が1.2~1.8であるシリカ粒子(A)と、BET法で測定される平均一次粒子径が30nmを超え50nm以下の粒子径であり、電子線による透過投影像により求めた長軸の平均粒子径を(X2)nmとし、BET法で測定される平均一次粒子径を(X1)nmとしたときの(X2/X1)比が1.2~1.8であるシリカ粒子(B)とからなるシリカ粒子を0.1質量%~5質量%のシリカ濃度で含み、前記シリカ粒子(A):前記シリカ粒子(B)の質量比が100:0~85:15である、研磨方法である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報