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1. WO2020066829 - 基板処理装置および半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2020/066829
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/036734
国際出願日 19.09.2019
IPC
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C23C 16/44 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
C23C 16/455 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
455ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
CPC
C23C 16/44
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
C23C 16/455
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
出願人
  • 株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 嶋田 寛哲 SHIMADA HIRONORI
  • 谷山 智志 TANIYAMA TOMOSHI
代理人
  • ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.
優先権情報
2018-18141727.09.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
要約
(EN)
A substrate processing apparatus according to the present invention comprises: a substrate holder for holding a plurality of substrates arrayed at a prescribed spacing; a reaction tube that is provided with a ceiling that closes off an upper end thereof, and an opening at the bottom thereof into which the substrate holder can be inserted and removed, the reaction tube accommodating the substrate holder; a heating mechanism that is provided to the periphery of the reaction tube and heats the interior thereof; a gas supply mechanism that supplies a treatment gas to the plurality of substrates held by the substrate holder within the reaction tube; a gas evacuation mechanism that communicates with the interior of the reaction tube and evacuates the atmosphere within the reaction tube; and a break filter which is provided at a position, within the reaction tube, partway along the flow of gas from the gas supply mechanism to the gas evacuation mechanism and downstream of the substrates, the break filter receiving heat from the evacuated gas and supplying a supplied inert gas to the interior of the reaction tube.
(FR)
La présente invention concerne un appareil de traitement de substrat comprenant : un support de substrat pour supporter une pluralité de substrats disposés en réseau à un espacement prescrit ; un tube de réaction qui est doté d'un plafond qui ferme une extrémité supérieure de celui-ci, et une ouverture au fond de celui-ci dans laquelle le support de substrat peut être inséré et de laquelle il peut être retiré, le tube de réaction recevant le support de substrat ; un mécanisme de chauffage qui est placé sur la périphérie du tube de réaction et chauffe l'intérieur de celui-ci ; un mécanisme d'alimentation en gaz qui fournit un gaz de traitement à la pluralité de substrats supportés par le support de substrat à l'intérieur du tube de réaction ; un mécanisme d'évacuation de gaz qui communique avec l'intérieur du tube de réaction et évacue l'atmosphère à l'intérieur du tube de réaction ; et un filtre de rupture qui est positionné, à l'intérieur du tube de réaction, à mi-chemin le long du flux de gaz entre le mécanisme d'alimentation en gaz et le mécanisme d'évacuation de gaz et en aval des substrats, le filtre de rupture recevant la chaleur du gaz évacué et fournissant un gaz inerte à l'intérieur du tube de réaction.
(JA)
基板処理装置は、複数の基板を所定の間隔で配列されて保持する基板保持具と、上端を閉塞する天井と、下方に前記基板保持具を出し入れ可能な開口とを備え、前記基板保持具を収容する反応管と、前記反応管の周囲に設けられ、その内部を加熱する加熱機構と、前記反応管内で前記基板保持具に保持された前記複数の基板に対して処理ガスを供給するガス供給機構と、前記反応管内と連通し、前記反応管内の雰囲気を排気するガス排出機構と、前記反応管内で前記ガス供給機構から前記ガス排出機構へのガスの流れの途中にあって、前記基板よりも下流の位置に設けられ、排気ガスから熱を受け取るとともに、供給された不活性ガスを前記反応管内に供給するブレイクフィルタと、を備える。
他の公開
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