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1. WO2020066786 - 酸化珪素膜用研磨液組成物

公開番号 WO/2020/066786
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/036554
国際出願日 18.09.2019
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B24B 37/00 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
C09K 3/14 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3物質であって,他に分類されないもの
14抗スリップ物質;研摩物質
CPC
B24B 37/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
C09K 3/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 花王株式会社 KAO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 土居陽彦 DOI Haruhiko
  • 山口哲史 YAMAGUCHI Norihito
  • 菅原将人 SUGAHARA Masato
  • 盛池孝直 SEIKE Takanao
  • 井上将来 INOUE Masaki
代理人
  • 特許業務法人池内アンドパートナーズ IKEUCHI & PARTNERS
優先権情報
2018-18473628.09.2018JP
2018-18474128.09.2018JP
2018-21575316.11.2018JP
2019-12778609.07.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POLISHING LIQUID COMPOSITION FOR SILICON OXIDE FILM
(FR) COMPOSITION DE LIQUIDE DE POLISSAGE POUR FILM D'OXYDE DE SILICIUM
(JA) 酸化珪素膜用研磨液組成物
要約
(EN)
In an embodiment, provided is a polishing liquid composition capable of improving the abrasion rate of a silicon oxide film. In an embodiment, the present disclosure pertains to a polishing liquid composition that is for a silicon oxide film and that comprises cerium oxide particles (component A), an additive (component B), and an aqueous medium, wherein component B has a reduction potential of 0.45 V or more as measured by cyclic voltammetry (with reference to a Ag/AgCl electrode) in a 10 ppm aqueous solution thereof.
(FR)
Dans un mode de réalisation, l'invention concerne une composition liquide de polissage capable d'améliorer le taux d'abrasion d'un film d'oxyde de silicium. Dans un mode de réalisation, la présente invention concerne une composition liquide de polissage qui est destinée à un film d'oxyde de silicium et qui comprend des particules d'oxyde de cérium (composant A), un additif (composant B), et un milieu aqueux, le composant B ayant un potentiel de réduction supérieur ou égal à 0,45 V tel que mesuré par voltampérométrie cyclique (par rapport à une électrode Ag/AgCl) dans une solution aqueuse de 10 ppm de celui-ci.
(JA)
一態様において、酸化珪素膜の研磨速度を向上可能な研磨液組成物を提供する。 本開示は、一態様において、酸化セリウム粒子(成分A)と、添加剤(成分B)と、水系媒体とを含有し、成分Bは、成分Bの10ppm水溶液をサイクリックボルタンメトリー(Ag/AgCl電極基準)で測定したときの還元電位が0.45V以上となる化合物である、酸化珪素膜用研磨液組成物に関する。
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