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1. WO2020066640 - 撮像素子、電子機器

公開番号 WO/2020/066640
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/035817
国際出願日 12.09.2019
IPC
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H04N 5/369 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 村上 博亮 MURAKAMI Hiroaki
  • 馬 博 MA Bo
  • 菊地 裕介 KIKUCHI Yusuke
  • 束野 豊 TSUKANO Yutaka
代理人
  • 西川 孝 NISHIKAWA Takashi
  • 稲本 義雄 INAMOTO Yoshio
  • 三浦 勇介 MIURA Yusuke
優先権情報
2018-17841425.09.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) IMAGE CAPTURE ELEMENT AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 撮像素子、電子機器
要約
(EN)
The present technology relates to an image capture element and an electronic apparatus which make it possible to expand the amount of saturation signal charge. The image capture element is provided with, in this order in a depth direction from the side of a semiconductor substrate on which a wiring layer is stacked: a first P-type impurity region; a capacity expanding portion forming a P-N junction plane from a second P-type impurity region and a first N-type impurity region; and a first N-type impurity region. In a plane of the capacity expanding portion vertically intersecting the depth direction, the second P-type impurity region is formed in stripes. In the plane of the capacity expanding portion vertically intersecting the depth direction, the stripes are formed in a direction perpendicular to the sides in which electrodes for reading accumulated charges are formed. The present technology may be applied to an image capture element, for example.
(FR)
La présente technologie concerne un élément de capture d'image et un appareil électronique qui permettent d'augmenter la quantité de charge de signal de saturation. L'élément de capture d'image comporte, dans cet ordre dans une direction de profondeur à partir du côté d'un substrat semi-conducteur sur lequel une couche de câblage est empilée : une première région d'impureté de type P ; une partie d'augmentation de capacité formant un plan de jonction P-N à partir d'une seconde région d'impureté de type P et une première région d'impureté de type N ; et une première région d'impureté de type N. Dans un plan de la partie d'extension de capacité croisant verticalement la direction de profondeur, la seconde région d'impuretés de type P est formée en bandes. Dans le plan de la partie d'extension de capacité croisant verticalement la direction de profondeur, les bandes sont formées dans une direction perpendiculaire aux côtés dans lesquels des électrodes pour lire des charges accumulées sont formées. La présente technologie peut être appliquée à un élément de capture d'image à semi-conducteur, par exemple.
(JA)
本技術は、飽和信号電荷量を拡大させることができるようにする撮像素子、電子機器に関する。 半導体基板の配線層が積層されている面側から深さ方向に順に、第1のP型不純物領域と、第2のP型不純物領域と第1のN型不純物領域とからPN接合面を形成する容量拡大部と、第1のN型不純物領域とを備える。深さ方向と垂直に交わる容量拡大部の平面において、第2のP型不純物領域は、ストライプ状に形成されている。深さ方向と垂直に交わる容量拡大部の平面において、蓄積された電荷を読み出す電極が形成されている辺に対して垂直となる方向にストライプ状に形成されている。本技術は、撮像素子に適用できる。
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