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1. WO2020066633 - 感光性樹脂組成物、レジストパターンの形成方法、およびメッキ造形物の製造方法

公開番号 WO/2020/066633
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/035753
国際出願日 11.09.2019
IPC
G03F 7/004 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
C08F 2/44 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
2重合方法
44配合成分,例.可塑剤,染料,充填剤,の存在下における重合
G03F 7/031 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
027炭素-炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物,例.エチレン化合物
028増感物質をもつもの,例.光重合開始剤
031グループG03F7/029に包含されない有機化合物
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
G03F 7/40 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
40画像様除去後の処理,例.加熱
CPC
C08F 2/44
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
2Processes of polymerisation
44Polymerisation in the presence of compounding ingredients, e.g. plasticisers, dyestuffs, fillers
G03F 7/004
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
G03F 7/031
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
028with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
031Organic compounds not covered by group G03F7/029
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
G03F 7/40
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
出願人
  • JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 木村 優 KIMURA Yu
  • 石川 弘樹 ISHIKAWA Hiroki
  • 松本 朋之 MATSUMOTO Tomoyuki
  • 佐藤 慶一 SATOU Keiichi
代理人
  • 特許業務法人SSINPAT SSINPAT PATENT FIRM
優先権情報
2018-18037026.09.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING PLATED SHAPED BODY
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE, PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CORPS MOULÉ PLAQUÉ
(JA) 感光性樹脂組成物、レジストパターンの形成方法、およびメッキ造形物の製造方法
要約
(EN)
The present invention is a photosensitive resin composition characterized by containing a polymerizable compound (A), a light radical polymerization initiator (B), a thiol compound (C), and a polymerization inhibitor (D), the content of the thiol compound (C) being 5-50 mass parts to 100 mass parts of the polymerizable compound (A), and the content of the polymerization inhibitor (D) being 1-10 mass parts to 100 mass parts of the polymerizable compound (A). The present invention makes it possible to provide a photosensitive resin composition having wide exposure latitude (EL) in both bright fields and dark fields. Using the photosensitive resin composition, it is possible to provide a method for forming a resist pattern with which it is possible to form a fine resist pattern having good accuracy in both bright fields and dark fields. Using a resist pattern formed using the method for forming a resist pattern, it is possible to provide a method for manufacturing a plated shaped body with which it is possible to manufacture a fine plated shaped body having good accuracy.
(FR)
La présente invention concerne une composition de résine photosensible qui se caractérise en ce qu'elle contient un composé polymérisable (A), un initiateur de polymérisation radicalaire de lumière (B), un composé thiol (C) et un inhibiteur de polymérisation (D), la teneur du composé thiol (C) étant de 5 à 50 parties en masse à 100 parties en masse du composé polymérisable (A), et la teneur de l'inhibiteur de polymérisation (D) étant de 1 à 10 parties en masse à 100 parties en masse du composé polymérisable (A). La présente invention permet de fournir une composition de résine photosensible ayant une grande latitude d'exposition (EL) à la fois dans les champs lumineux et dans les champs sombres. A l'aide de la composition de résine photosensible, il est possible de fournir un procédé de formation d'un motif de réserve qui permet de former un motif de réserve mince doté d'une bonne précision à la fois dans les champs lumineux et dans les champs sombres. En utilisant un motif de réserve formé à l'aide du procédé de formation d'un motif de réserve, il est possible de fournir un procédé de fabrication d'un corps façonné plaqué qui permet de fabriquer un corps façonné mince doté d'une bonne précision.
(JA)
本発明は、重合性化合物(A)、光ラジカル重合開始剤(B)、チオール化合物(C)、および重合禁止剤(D)を含有し、前記チオール化合物(C)の含有量が、前記重合性化合物(A)100質量部に対して5~50質量部、前記重合禁止剤(D)の含有量が、前記重合性化合物(A)100質量部に対して1~10質量部であることを特徴とする感光性樹脂組成物である。本発明は、ブライトフィールドとダークフィールドとの両方において露光量余裕度(EL)が広い感光性樹脂組成物を提供することができる。前記感光性樹脂組成物を用いて、ブライトフィールドとダークフィールドとの両方において精度良く、微細なレジストパターンを形成することができる、レジストパターンの形成方法を提供することができる。前記レジストパターンの形成方法により形成したレジストパターンを用いて、精度の良い、微細なメッキ造形物を製造することができる、メッキ造形物の製造方法を提供することができる。
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