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1. WO2020066591 - マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法

公開番号 WO/2020/066591
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/035485
国際出願日 10.09.2019
IPC
G03F 1/32 2012.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
26位相シフトマスク;PSMブランク;その準備
32減衰PSM,例.ハーフトーンPSM又は半透明な位相シフト部を有するPSM;その準備
G03F 1/80 2012.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
68グループG03F1/20からG03F1/50に包含されない準備プロセス
80エッチング
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
CPC
G03F 1/32
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
32Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion,; Preparation thereof
G03F 1/80
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
80Etching
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
出願人
  • HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 大久保 亮 OHKUBO, Ryo
  • 前田 仁 MAEDA, Hitoshi
  • 穐山 圭司 AKIYAMA, Keishi
  • 野澤 順 NOZAWA, Osamu
代理人
  • 永田 豊 NAGATA, Yutaka
  • 大島 孝文 OSHIMA, Takafumi
  • 太田 司 OTA, Tsukasa
優先権情報
2018-18176427.09.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MASK BLANK, TRANSFER MASK, AND SEMICONDUCTOR-DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE, MASQUE DE TRANSFERT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法
要約
(EN)
Provided is a mask blank (100) provided with an etching stopper film (1): that exhibits a high resistance to dry etching that uses a fluorine-based gas and that is employed when patterning a phase shift film (3); and that additionally possesses a high transmittance with respect to exposure light. The mask blank (100) is provided with a structure in which the etching stopper film (2) and the phase shift film (3) are laminated on a translucent substrate (1) in this order, wherein the phase shift film (3) is formed of a material containing silicon, the etching stopper film (2) is formed of a material containing hafnium, aluminum, and oxygen, and the oxygen deficiency rate of the etching stopper film (2) is equal to or less than 6.4%.
(FR)
L'invention concerne une ébauche de masque (100) pourvue d'un film d'arrêt de gravure (1) qui présente une résistance élevée à la gravure sèche, qui utilise un gaz à base de fluor et qui est utilisée lors de la formation d'un motif sur un film à décalage de phase (3); et qui possède également une transmittance élevée par rapport à la lumière d'exposition. L'ébauche de masque (100) est pourvue d'une structure dans laquelle le film d'arrêt de gravure (2) et le film à décalage de phase (3) sont stratifiés dans cet ordre sur un substrat translucide (1), le film à décalage de phase (3) étant formé d'un matériau contenant du silicium, le film d'arrêt de gravure (2) étant formé d'un matériau contenant de l'hafnium, de l'aluminium et de l'oxygène, et le taux d'insuffisance en oxygène du film d'arrêt de gravure (2) étant inférieur ou égal à 6,4 %.
(JA)
位相シフト膜(3)をパターニングする際に用いられるフッ素系ガスによるドライエッチングに対する耐性が高く、さらに露光光に対する透過率が高いエッチングストッパー膜(1)を備えたマスクブランク(100)を提供する。透光性基板(1)上に、エッチングストッパー膜(2)と位相シフト膜(3)がこの順に積層された構造を備えるマスクブランク(100)であって、位相シフト膜(3)は、ケイ素を含有する材料からなり、エッチングストッパー膜(2)は、ハフニウム、アルミニウムおよび酸素を含有する材料からなり、エッチングストッパー膜(2)の酸素欠損率は、6.4%以下である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報