処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

Goto Application

1. WO2020066477 - パターン形成方法、及び、有機溶剤現像用レジスト積層体

公開番号 WO/2020/066477
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/034460
国際出願日 02.09.2019
IPC
G03F 7/039 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
039光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
C08F 220/26 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
220ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちのただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物.その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの共重合体
029個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10エステル
26カルボキシ酸素以外の酸素を含有するエステル
G03F 7/038 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
038不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G03F 7/11 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
09構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
CPC
C08F 220/26
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
220Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
10Esters
26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
G03F 7/038
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
G03F 7/039
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
G03F 7/11
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
11having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 二橋 亘 NIHASHI, Wataru
  • 白川 三千紘 SHIRAKAWA, Michihiro
代理人
  • 特許業務法人太陽国際特許事務所 TAIYO, NAKAJIMA & KATO
優先権情報
2018-18223127.09.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PATTERN FORMATION METHOD AND RESIST LAYERED BODY FOR ORGANIC SOLVENT DEVELOPMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET CORPS STRATIFIÉ DE RÉSERVE POUR DÉVELOPPEMENT PAR SOLVANT ORGANIQUE
(JA) パターン形成方法、及び、有機溶剤現像用レジスト積層体
要約
(EN)
Provided is a pattern formation method, including: a step in which a layered body that comprises a substrate, an inorganic base layer, and a resist layer is prepared; a step in which the resist layer is exposed to light; and a step in which a negative pattern is formed by developing the layered body by using a developing solution that includes an organic solvent. The layered body is configured such that, after irradiated with ultraviolet rays of a wavelength of 13.5 nm from the resist layer side, with an integrated light quantity of 40 mJ/cm2, and heated at 110°C for 60 seconds, the surface energy γA of the resist layer is at least 60 mJ/m2, the surface energy γB of the inorganic base layer is at least 55 mJ/m2, and the surface energy difference γAB, defined by formula (A), is 5.0 mJ/m2 or less. Also provided is a resist layered body for organic solvent development. Formula (A): γAB = γA − γB
(FR)
L'invention concerne un procédé de formation de motif comprenant : une étape dans laquelle est préparé un corps stratifié qui comprend un substrat, une couche de base inorganique et une couche de réserve ; une étape dans laquelle la couche de réserve est exposée à la lumière ; et une étape dans laquelle un motif négatif est formé grâce au développement du corps stratifié à l'aide d'une solution de développement qui comprend un solvant organique. Le corps stratifié est conçu de telle sorte que, après avoir été irradié par des rayons ultraviolets d'une longueur d'onde de 13,5 nm à partir du côté couche de réserve avec une quantité de lumière intégrée de 40 mJ/cm2 et après avoir été chauffé à 110 °C pendant 60 secondes, l'énergie de surface γA de la couche de réserve est d'au moins 60 mJ/m2, l'énergie de surface γB de la couche de base inorganique est d'au moins 55 mJ/m2, et la différence d'énergie de surface γAB, définie par la formule (A), est de 5,0 mJ/m2 ou moins. L'invention concerne également un corps stratifié de réserve pour développement par solvant organique. Formule (A) : γAB = γA − γB
(JA)
基板と無機下地層とレジスト層とを有する積層体を準備する工程、上記レジスト層を露光する工程、及び、上記積層体を有機溶剤を含む現像液により現像してネガ型のパターン形成を行う工程を含み、上記積層体において、波長13.5nmの紫外線を上記レジスト層側から積算光量40mJ/cmで照射し、110℃で60秒間加熱した後における、上記レジスト層の表面エネルギーγが、60mJ/m以上であり、上記無機下地層の表面エネルギーγが、55mJ/m以上であり、式(A)で定義される表面エネルギーの差γABが、5.0mJ/m以下であるパターン形成方法、及び、有機溶剤現像用レジスト積層体。 γAB=γ-γ 式(A)
国際事務局に記録されている最新の書誌情報