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1. WO2020066327 - 撮像素子及び光検出素子

公開番号 WO/2020/066327
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/031311
国際出願日 08.08.2019
IPC
H04N 5/378 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
378読出し回路,例.相関二重サンプリング回路,出力増幅器,A/D変換器
H01L 31/10 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H03K 5/08 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
5このサブクラスの他のメイングループの1によっては包括されないパルスの操作
01パルスの整形
08振幅制限によるもの,しきい値によるもの,スライスによるもの,すなわち振幅制限としきい値の結合によるもの
H03M 1/56 2006.01
H電気
03基本電子回路
M符号化,復号化または符号変換一般
1アナログ/デジタル変換;デジタル/アナログ変換
12アナログ/デジタル変換器
50時間間隔への中間変換を行うもの
56入力信号を線形のランプ信号と比較するもの
CPC
H01L 31/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
H03K 5/08
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
5Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
01Shaping pulses
08by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding
H03M 1/56
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
1Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
12Analogue/digital converters
50with intermediate conversion to time interval
56Input signal compared with linear ramp
H04N 5/378
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
378Readout circuits, e.g. correlated double sampling [CDS] circuits, output amplifiers or A/D converters
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 馬上 崇 MOUE Takashi
代理人
  • 田中 秀▲てつ▼ TANAKA Hidetetsu
  • 小林 龍 KOBAYASHI Toru
  • 森 哲也 MORI Tetsuya
優先権情報
2018-18080026.09.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) IMAGE SENSOR AND PHOTODETECTOR
(FR) CAPTEUR D'IMAGE ET PHOTODÉTECTEUR
(JA) 撮像素子及び光検出素子
要約
(EN)
An objective of the present technique is to provide an image sensor and a photodetector that are capable of reducing power consumption of an A/D conversion unit. An image sensor is provided with a comparator comprising: a differential input section that has a first input section connected to a first capacitance section, and a second input section connected to a second capacitance section; a current mirror section that has a first resistance element connected to the differential input section, and NMOS transistors diode-connected via the first resistance element; a second resistance element connected to the differential input section; and switch sections one of which is provided between the first input section and a junction between the first resistance element and the NMOS transistors and the other of which is provided between the second input section and a junction between the second resistance element and the current mirror section.
(FR)
Un objectif de la présente technique est de fournir un capteur d'image et un photodétecteur qui sont capables de réduire la consommation d'énergie d'une unité de conversion A/N. Un capteur d'image est pourvu d'un comparateur comprenant : une section d'entrée différentielle qui comprend une première section d'entrée connectée à une première section de capacité, et une seconde section d'entrée connectée à une seconde section de capacité ; une section de miroir de courant qui comprend un premier élément de résistance connecté à la section d'entrée différentielle, et des transistors NMOS connectés par diode par l'intermédiaire du premier élément de résistance ; un second élément de résistance connecté à la section d'entrée différentielle ; et des sections de commutation dont l'une est disposée entre la première section d'entrée et une jonction entre le premier élément de résistance et les transistors NMOS et l'autre étant disposée entre la seconde section d'entrée et une jonction entre le second élément de résistance et la section de miroir de courant.
(JA)
本技術は、AD変換部の低消費電力化を図ることができる撮像素子及び光検出素子を提供することを目的とする。撮像素子に備えられた比較器は、第一容量部に接続された第一入力部、及び第二容量部に接続された第二入力部を有する差動入力部と、差動入力部に接続された第一抵抗素子及び第一抵抗素子を介してダイオード接続されたNMOSトランジスタを有するカレントミラー部と、差動入力部に接続された第二抵抗素子と第一抵抗素子及びNMOSトランジスタの接続部と第一入力部との間並びに第二抵抗素子及びカレントミラー部の接続部と第二入力部との間に設けられたスイッチ部とを有している。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報