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1. WO2020066245 - 固体撮像素子、および、撮像装置

公開番号 WO/2020/066245
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/028751
国際出願日 23.07.2019
IPC
H04N 5/378 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
378読出し回路,例.相関二重サンプリング回路,出力増幅器,A/D変換器
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H03F 3/45 2006.01
H電気
03基本電子回路
F増幅器
3増幅素子として電子管のみまたは半導体装置のみをもつ増幅器
45差動増幅器
H04N 5/369 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H04N 5/3745 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
37451つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H03F 3/45
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
45Differential amplifiers
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
H04N 5/374
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
H04N 5/3745
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
H04N 5/378
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
378Readout circuits, e.g. correlated double sampling [CDS] circuits, output amplifiers or A/D converters
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 川崎 凌平 KAWASAKI, Ryohei
代理人
  • 丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu
優先権情報
2018-17961026.09.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 固体撮像素子、および、撮像装置
要約
(EN)
The present invention reduces power consumption in a solid-state imaging element provided with a differential input circuit for each pixel. The solid-state imaging element comprises a current source circuit, a pair of differential transistors, and a digital signal generation unit. The current source circuit in the solid-state imaging element supplies a prescribed constant current when a prescribed enable signal is inputted. The pair of differential transistors generate, using the constant current, a differential amplification signal in which a difference between an analog signal generated by a pixel circuit and a prescribed reference signal is amplified. The digital signal generation unit generates a digital signal from the differential amplification signal.
(FR)
La présente invention réduit la consommation d'énergie dans un élément d'imagerie à semi-conducteurs comportant un circuit d'entrée différentiel pour chaque pixel. L'élément d'imagerie à semi-conducteurs comprend un circuit de source de courant, une paire de transistors différentiels, et une unité de génération de signal numérique. Le circuit de source de courant dans l'élément d'imagerie à semi-conducteurs fournit un courant constant prescrit lorsqu'un signal d'activation prescrit est entré. La paire de transistors différentiels génère, à l'aide du courant constant, un signal d'amplification différentiel dans lequel une différence entre un signal analogique généré par un circuit de pixel et un signal de référence prescrit est amplifiée. L'unité de génération de signal numérique génère un signal numérique à partir du signal d'amplification différentiel.
(JA)
画素毎に差動入力回路を設けた固体撮像素子において、消費電力を低減する。 固体撮像素子は、電流源回路と、一対の差動トランジスタとデジタル信号生成部とを備える。この固体撮像素子において電流源回路は、所定のイネーブル信号が入力された場合には所定の定電流を供給する。一対の差動トランジスタは、画素回路により生成されたアナログ信号と所定の参照信号との差分を増幅した差動増幅信号を前記定電流を用いて生成する。デジタル信号生成部は、差動増幅信号からデジタル信号を生成する。
他の公開
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