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1. WO2020066172 - エッチング方法、エッチング残渣の除去方法、および記憶媒体

公開番号 WO/2020/066172
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/024959
国際出願日 24.06.2019
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
CPC
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • ▲高▼橋 信博 TAKAHASHI Nobuhiro
  • 田内 啓士 TANOUCHI Keiji
  • 入江 伸次 IRIE Shinji
  • 清水 昭貴 SHIMIZU Akitaka
代理人
  • 高山 宏志 TAKAYAMA Hiroshi
優先権情報
2018-18012826.09.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ETCHING METHOD, METHOD FOR REMOVING ETCHING RESIDUE, AND STORAGE MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE, PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION DE RÉSIDU DE GRAVURE ET SUPPORT DE STOCKAGE
(JA) エッチング方法、エッチング残渣の除去方法、および記憶媒体
要約
(EN)
This etching method comprises: a step for preparing a substrate having a portion to be etched; a step for plasma-etching the portion to be etched of the substrate into a predetermined pattern by using plasma of a treatment gas containing CF-based gas; and then a step for removing a CF-based deposited matter which remains as an etching residue, wherein the step for removing the CF-based deposited matter has a step for forming an oxide including an oxide of the CF-based deposited matter by means of an oxygen-containing radical, and a step for removing the resulting oxide by means of radical treatment or chemical treatment using gas.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de gravure comprenant : une étape consistant à préparer un substrat ayant une partie à graver; une étape consistant à graver au plasma la partie à graver du substrat en un motif prédéterminé en utilisant un plasma d'un gaz de traitement contenant du gaz à base de CF; puis une étape consistant à éliminer une matière déposée à base de CF qui reste comme résidu de gravure, l'étape d'élimination de la matière déposée à base de CF comprenant une étape consistant à former un oxyde comprenant un oxyde de la matière déposée à base de CF au moyen d'un radical contenant de l'oxygène, et une étape consistant à éliminer l'oxyde résultant au moyen d'un traitement radicalaire ou d'un traitement chimique à l'aide d'un gaz.
(JA)
エッチング方法は、エッチング対象部を有する基板を準備する工程と、基板のエッチング対象部を、CF系ガスを含む処理ガスのプラズマにより所定パターンにプラズマエッチングする工程と、その後、エッチング残渣として残存するCF系のデポ物を除去する工程と、を有し、CF系のデポ物を除去する工程は、酸素を含むラジカルによってCF系のデポ物の酸化物を含む酸化物を形成する工程と、生成された酸化物を、ガスによる化学的処理またはラジカル処理により除去する工程とを有する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報