処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

Goto Application

1. WO2020065966 - 電子デバイスの製造方法

公開番号 WO/2020/065966
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/036452
国際出願日 28.09.2018
IPC
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 27/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
12基板が半導体本体以外のもの,例.絶縁体本体
CPC
H01L 21/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L 27/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP]
発明者
  • 坂本 真由子 SAKAMOTO, Mayuko
代理人
  • 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子デバイスの製造方法
要約
(EN)
In this method for manufacturing an electronic device, an island-like peeling layer (AL) is formed on a substrate (13), a resin layer (12) is laminated so as to cover the entire surface of the peeling layer (AL), a barrier layer (3) is formed so as to cover the resin layer (12), an electronic circuit layer is formed on an upper layer of the barrier layer (3), and the resin layer (12) is peeled from the substrate (13) and the peeling layer (AL).
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électronique dans lequel, une couche de pelage de type îlot (AL) est formée sur un substrat (13), une couche de résine (12) est stratifiée de manière à recouvrir la totalité de la surface de la couche de pelage (AL), une couche barrière (3) est formée de manière à recouvrir la couche de résine (12), une couche de circuit électronique est formée sur une couche supérieure de la couche barrière (3), et la couche de résine (12) est pelée du substrat (13) et de la couche de pelage (AL).
(JA)
電子デバイスの製造方法は、基板(13)上に島状の剥離層(AL)を形成し、剥離層(AL)の全面を覆うように樹脂層(12)を積層させ、樹脂層(12)を覆うように、バリア層(3)を形成し、バリア層(3)の上層に電子回路層を形成し、基板(13)および剥離層(AL)から樹脂層(12)を剥離する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報