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1. WO2020065934 - 表示装置

公開番号 WO/2020/065934
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/036351
国際出願日 28.09.2018
IPC
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
CPC
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP]
発明者
  • 本城 正智 HONJO, Masatomo
  • 松木薗 広志 MATSUKIZONO, Hiroshi
代理人
  • 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 表示装置
要約
(EN)
Disposed between a first gate insulating film (GF) and an oxide semiconductor film (SC) is an interlayer gate insulating film (AG) comprising a metal oxide and having a dielectric constant larger than that of the first gate insulating film. The interlayer gate insulating film is formed in an island shape to correspond to the oxide semiconductor film and is overlaid with at least a channel region (CH) of the oxide semiconductor film.
(FR)
L'invention concerne un film d'isolation de grille intercouche (AG) comprenant un oxyde métallique et ayant une constante diélectrique supérieure à celle du premier film d'isolation de grille qui est disposé entre un premier film d'isolation de grille (GF) et un film d'oxyde semi-conducteur (SC). Le film d'isolation de grille intercouche est formé en une forme d'îlot pour correspondre au film semi-conducteur d'oxyde et est recouvert d'au moins une région de canal (CH) du film semi-conducteur d'oxyde.
(JA)
第1ゲート絶縁膜(GF)と酸化物半導体膜(SC)との間に、第1ゲート絶縁膜よりも誘電率が大きく、金属酸化物から成る層間ゲート絶縁膜(AG)が設けられ、層間ゲート絶縁膜は、酸化物半導体膜に対応するように島状に形成され、酸化物半導体膜の少なくともチャネル領域(CH)と重畳する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報