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1. WO2020065736 - 発光デバイスの製造方法

公開番号 WO/2020/065736
公開日 02.04.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/035508
国際出願日 25.09.2018
IPC
H01L 33/00 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
CPC
H01L 33/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
出願人
  • 特定非営利活動法人ナノフォトニクス工学推進機構 SPECIFIED NONPROFIT CORPORATION NANOPHOTONICS ENGINEERING ORGANIZATION [JP]/[JP]
発明者
  • 川添 忠 KAWAZOE Tadashi
  • 橋本 和信 HASHIMOTO Kazunobu
  • 杉浦 聡 SUGIURA Satoshi
代理人
  • 岩池 満 IWAIKE Mitsuru
  • 菅沼 和弘 SUGANUMA Kazuhiro
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 発光デバイスの製造方法
要約
(EN)
The present invention addresses the problem of manufacturing, more efficiently than in the past, a light-emitting device in which Si is used in a substrate. This method for manufacturing a light-emitting device includes a first process for preparing a substrate, a second process for implanting an ionized substance in the substrate, a third process for forming an electrode or the like, a fourth process for cutting from the substrate, a fifth process for modularizing the substrate, a sixth process for conducting a light-and-heat annealing treatment, and a seventh process for forming a component, the sixth process including: a preparation step in which, for each element substrate having a different resistance value, a continuity test and annealing-light alignment are conducted within a range of loads permitted by the element; an initiation step in which the operation state of each device is confirmed by irradiating each of the element substrates with the annealing light during a prescribed period, within the range of loads permitted by the element; a main step in which each of the element substrates is irradiated with the annealing light at a prescribed substrate temperature; and a post-treatment step in which EL is measured for each of the element substrates.
(FR)
La présente invention aborde le problème de la fabrication, plus efficacement que dans le passé, d'un dispositif électroluminescent dans lequel du Si est utilisé dans un substrat. Ce procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent comprend un premier processus pour préparer un substrat, un deuxième processus pour implanter une substance ionisée dans le substrat, un troisième processus pour former une électrode ou similaire, un quatrième processus pour découper dans le substrat, un cinquième processus pour modulariser le substrat, un sixième processus pour réaliser un traitement de recuit à la lumière et à la chaleur, et un septième processus pour former un composant, le sixième processus comprenant : une étape de préparation dans laquelle, pour chaque substrat élément ayant une valeur de résistance différente, un test de continuité et un alignement de lumière de recuit sont réalisés dans une plage de charges permises par l'élément ; une étape d'initiation dans laquelle l'état de fonctionnement de chaque dispositif est confirmé par l'exposition de chacun des substrats éléments avec la lumière de recuit pendant une période prescrite, dans la plage de charges permises par l'élément ; une étape principale dans laquelle chacun des substrats éléments est exposé à la lumière de recuit à une température de substrat prescrite ; et une étape de post-traitement dans laquelle EL est mesuré pour chacun des substrats éléments.
(JA)
Siを基板に用いた発光デバイスを、従来よりも効率良く製造すること。 発光デバイスの製造方法は、基板を準備する第1プロセスと、前記基板にイオン化した物質をインプラントする第2プロセスと、電極等を形成させる第3プロセスと、前記基板からの切り出しを行う第4プロセスと、前記基板にモジュール化させる第5プロセスと、光熱アニール処理を施す第6プロセスと、製品化させる第7プロセスとを含み、前記第6プロセスは、抵抗値が異なる素子の基板毎に、前記素子が許容できる負荷の範囲内で、導通試験と、アニール光のアライメントとを行う準備工程と、前記素子の基板毎に、前記素子が許容できる負荷の範囲内で、所定時間前記アニール光を照射することで各装置の動作状態の確認を行う開始工程と、前記素子の基板毎に、所定の基板温度で前記アニール光を照射するメイン工程と、前記素子の基板毎に、ELを計測する後処理工程とを含むことにより上記課題を解決する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報