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1. WO2020035982 - 組成物及びエッチング方法

公開番号 WO/2020/035982
公開日 20.02.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/021017
国際出願日 28.05.2019
IPC
C23F 1/18 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
1化学的手段による金属質材料のエッチング
10エッチング組成物
14水溶液組成物
16酸性組成物
18銅または銅合金をエッチングするためのもの
H01L 21/308 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308マスクを用いるもの
H05K 3/06 2006.1
H電気
05他に分類されない電気技術
K印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3印刷回路を製造するための装置または方法
02導電性物質が絶縁支持部材の表面に施されその後電流の伝導や遮へいのために使わない部分が表面から取り除かれるもの
06導電性物質が化学的にまたは電気分解により取り除かれるもの,例.ホトエッチング法
CPC
C23F 1/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE
1Etching metallic material by chemical means
10Etching compositions
14Aqueous compositions
16Acidic compositions
18for etching copper or alloys thereof
H01L 21/308
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
308using masks
H05K 3/06
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
3Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
02in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
06the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
H05K 3/067
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
3Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
02in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
06the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
067Etchants
出願人
  • 株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 正元 祐次 MASAMOTO Yuji
  • 阿部 徹司 ABE Tetsuji
  • 千葉 広之 CHIBA Hiroyuki
  • 野口 裕太 NOGUCHI Yuta
代理人
  • 近藤 利英子 KONDO Rieko
  • 菅野 重慶 SUGANO Shigeyoshi
  • 岡田 薫 OKADA Kaoru
  • 竹山 圭太 TAKEYAMA Keita
優先権情報
2018-15222913.08.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMPOSITION AND ETCHING METHOD
(FR) COMPOSITION ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) 組成物及びエッチング方法
要約
(EN) Provided is a composition which enables the formation of a fine pattern having high linearity and excellent dimensional accuracy without the concerns about the formation of a residual film and which is useful for the etching of a metal layer such as a copper-based layer. A composition which is an aqueous solution comprising: (A) 0.1 to 25% by mass of at least one component selected from a cupric ion and a ferric ion; (B) 0.1 to 30% by mass of a chloride ion; (C) 0.01 to 10% by mass of a compound represented by general formula (1) (wherein R1 represents a single bond or the like; R2 and R3 independently represent an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms; R4 and R5 independently represent a hydrogen atom or the like; and n represents such a numerical value that the number average molecular weight of the compound can become 550 to 1,400) and having a number average molecular weight of 550 to 1,400; (D) 0.01 to 10% by mass of a compound represented by general formula (2) (wherein R6 represents a n-butyl group; R7 represents an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms; and m represents an integer of 1 to 3); and water.
(FR) L'invention concerne une composition qui permet la formation d'un motif fin ayant une linéarité élevée et une excellente précision dimensionnelle sans les problèmes concernant la formation d'un film résiduel et qui est utile pour la gravure d'une couche métallique telle qu'une couche à base de cuivre. L'invention concerne par conséquent une composition qui est une solution aqueuse comprenant : (A) 0,1 à 25 % en masse d'au moins un composant sélectionné parmi un ion cuprique et un ion ferrique ; (B) 0,1 à 30 % en masse d'un ion chlorure ; (C) 0,01 à 10 % en masse d'un composé représenté par la formule générale (1) (dans laquelle R1 représente une liaison simple ou similaire ; R2 et R3 représentent indépendamment un groupe alkylène ayant 1 à 4 atomes de carbone ; R4 et R5 représentent indépendamment un atome d'hydrogène ou similaire ; et n représente une valeur numérique telle que le poids moléculaire moyen en nombre du composé peut devenir de 550 à 1 400) et ayant un poids moléculaire moyen en nombre de 550 à 1 400 ; (D) 0,01 à 10 % en masse d'un composé représenté par la formule générale (2) (dans laquelle R6 représente un groupe n-butyle ; R7 représente un groupe alkylène ayant 2 à 4 atomes de carbone ; et m représente un nombre entier de 1 à 3) ; et de l'eau.
(JA) 直線性が高く、寸法精度に優れた微細なパターンを残膜の発生を抑制しつつ形成することが可能な、銅系層などの金属層のエッチングに有用な組成物を提供する。(A)第二銅イオン及び第二鉄イオンから選択される少なくとも1種の成分0.1~25質量%;(B)塩化物イオン0.1~30質量%;(C)下記一般式(1)(Rは単結合等、R及びRは炭素原子数1~4のアルキレン基、R及びRは水素原子等、nは数平均分子量が550~1,400となる数)で表される、数平均分子量550~1,400の化合物0.01~10質量%;(D)下記一般式(2)(Rはn-ブチル基、Rは炭素原子数2~4のアルキレン基、mは1~3の整数)で表される化合物0.01~10質量%;及び水を含有する水溶液である組成物。
関連特許文献
TH2001007286出願が移行したが国内段階でまだ公開されていないか、WIPO にデータを提供していない国への移行が通知されたか、あるいは出願の形式に問題があり、またはその他の理由で利用可能な状態でないため、PATENTSCOPE で表示できません。
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