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1. WO2020031503 - 炭化珪素単結晶の製造方法

公開番号 WO/2020/031503
公開日 13.02.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/023627
国際出願日 14.06.2019
IPC
C30B 29/36 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
C30B 23/02 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
23蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長
02エピタキシャル層成長
CPC
C30B 23/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
02Epitaxial-layer growth
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
出願人
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 上田 俊策 UETA, Shunsaku
  • 高岡 宏樹 TAKAOKA, Hiroki
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
2018-15026509.08.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素単結晶の製造方法
要約
(EN) A seed crystal having a first main surface and a second main surface opposite the first main surface, a pedestal having a third main surface, and a fixing member are prepared. The second main surface has an outer peripheral portion that includes the entire outermost peripheral portion of the second main surface. Furthermore, the seed crystal is fixed to the pedestal by applying the fixing member to the outer peripheral portion in a state in which the first main surface is disposed so as to face the third main surface. A silicon carbide single crystal is grown on the second main surface. In the step for fixing the seed crystal to the pedestal, the fixing member contacts the outer peripheral portion in a section other than a region within ±10° with respect to an imaginary line running along the off direction of the seed crystal with the center of the second main surface as a starting point, as viewed from a direction perpendicular to the second main surface.
(FR) La présente invention concerne un germe cristallin ayant une première surface principale et une deuxième surface principale opposée à la première surface principale, un socle ayant une troisième surface principale, et un élément de fixation, qui sont préparés. La deuxième surface principale a une partie périphérique externe qui comprend la totalité de la partie périphérique la plus à l'extérieur de la deuxième surface principale. En outre, le germe cristallin est fixé au socle par application de l'élément de fixation sur la partie périphérique externe dans un état dans lequel la première surface principale est disposée de manière à faire face à la troisième surface principale. Un monocristal de carbure de silicium est développé sur la deuxième surface principale. Lors de l'étape de fixation du germe cristallin au socle, l'élément de fixation entre en contact avec la partie périphérique externe dans une section autre qu'une région située à ± 10° par rapport à une ligne imaginaire s'étendant le long de la direction de décalage du germe cristallin avec le centre de la deuxième surface principale comme point de départ, vu depuis une direction perpendiculaire à la deuxième surface principale.
(JA) 第1主面と第1主面の反対側にある第2主面とを有する種結晶と、第3主面を有する台座と、固定部材とが準備される。第2主面は、第2主面の最外周部を全て含む外周部を有している。さらに、第1主面が第3主面に対向するように配置された状態で固定部材を外周部に当てることにより、種結晶が台座に固定される。第2主面において炭化珪素単結晶を成長する。種結晶を台座に固定する工程においては、第2主面に対して垂直な方向から見た場合に、第2主面の中心を始点とし、種結晶のオフ方向に沿った仮想線に対して±10°以内の領域以外の外周部において固定部材が接している。
関連特許文献
JP2020536358出願が移行したが国内段階でまだ公開されていないか、WIPO にデータを提供していない国への移行が通知されたか、あるいは出願の形式に問題があり、またはその他の理由で利用可能な状態でないため、PATENTSCOPE で表示できません。
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