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1. (WO2020013250) 半導体装置の製造方法、熱硬化性樹脂組成物及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム
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国際公開番号: WO/2020/013250 国際出願番号: PCT/JP2019/027416
国際公開日: 16.01.2020 国際出願日: 10.07.2019
IPC:
H01L 21/301 (2006.01) ,C09J 11/04 (2006.01) ,C09J 201/00 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J
接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
11
グループ9/00に分類されない接着剤の特徴,例.添加剤
02
非高分子添加剤
04
無機物
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J
接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
201
不特定の高分子化合物に基づく接着剤
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52
容器中への半導体本体のマウント
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
065
装置がグループ27/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606, JP
発明者:
山本 和弘 YAMAMOTO Kazuhiro; JP
國土 由衣 KUNITO Yui; JP
藤尾 俊介 FUJIO Shunsuke; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori; JP
平野 裕之 HIRANO Hiroyuki; JP
優先権情報:
2018-13143111.07.2018JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, HEAT-CURABLE RESIN COMPOSITION, AND DICING-DIE ATTACH FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, COMPOSITION DE RÉSINE THERMODURCISSABLE, ET FILM DE FIXATION DE MATRICE DE DÉCOUPAGE EN DÉS
(JA) 半導体装置の製造方法、熱硬化性樹脂組成物及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム
要約:
(EN) A method for manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the present disclosure comprises the steps of: preparing a dicing-die attach film comprising a bonding layer made from a heat-curable resin composition having a melt viscosity of 3100 Pa•s or more at 120°C, an adhesive layer and a substrate film; bonding a bonding layer-side surface of the dicing-die attach film to a semiconductor wafer; dicing the semiconductor wafer; expanding the substrate film to manufacture a semiconductor element having a bonding agent attached thereto, i.e., a bonding agent-attached semiconductor element; picking up the bonding agent-attached semiconductor element from the adhesive layer; laminating the semiconductor element to another semiconductor element with the bonding agent intercalated therebetween; and thermally curing the bonding agent.
(FR) Un aspect de la présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur qui comprend les étapes consistant à : préparer un film de fixation de matrice de découpage en dés comprenant une couche de liaison réalisée à partir d'une composition de résine thermodurcissable ayant une viscosité à l'état fondu de 3100 Pa • s ou plus à 120 °C, une couche adhésive et un film de substrat ; lier une surface côté couche de liaison du film de fixation de puce de découpage en dés à une tranche de semi-conducteur ; découper en dés la tranche de semi-conducteur ; étendre le film de substrat pour fabriquer un élément semi-conducteur ayant un agent de liaison fixé à celui-ci, c'est-à-dire, un élément semi-conducteur fixé à un agent de liaison ; préparer l'élément semi-conducteur fixé à l'agent de liaison à partir de la couche adhésive ; stratifier l'élément semi-conducteur sur un autre élément semi-conducteur avec l'agent de liaison intercalé entre eux ; et durcir thermiquement l'agent de liaison.
(JA) 本開示の一側面に係る半導体装置の製造方法は、120℃における溶融粘度が3100Pa・s以上である熱硬化性樹脂組成物からなる接着層と粘着層と基材フィルムを備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程と、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着層側の面と半導体ウェハとを貼り合わせる工程と、半導体ウェハをダイシングする工程と、基材フィルムをエキスパンドすることによって接着剤付き半導体素子を得る工程と、接着剤付き半導体素子を粘着層からピックアップする工程と、この半導体素子を他の半導体素子に対して上記接着剤を介して積層する工程と、上記接着剤を熱硬化させる工程とを含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)