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1. (WO2020012986) 基板処理システム及び基板処理方法
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国際公開番号: WO/2020/012986 国際出願番号: PCT/JP2019/025817
国際公開日: 16.01.2020 国際出願日: 28.06.2019
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,B23K 20/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
B 処理操作;運輸
23
工作機械;他に分類されない金属加工
K
ハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
20
加熱するかまたは加熱することなく,衝撃または他の圧力を加えることによる非電気的接合,例.クラッド法または被せ金法
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
田之上 隼斗 TANOUE, Hayato; JP
代理人:
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
扇田 尚紀 OGITA, Naoki; JP
三根 卓也 MINE, Takuya; JP
優先権情報:
2018-13224612.07.2018JP
2018-17122913.09.2018JP
2019-02683418.02.2019JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理システム及び基板処理方法
要約:
(EN) A substrate processing system for processing a substrate comprises a surface modifying device for modifying an outer peripheral portion of a first surface film formed on a surface of a first substrate, before being joined with a second surface film formed on a surface of a second substrate. A substrate processing method for processing a substrate comprises modifying an outer peripheral portion of a first surface film formed on a surface of a first substrate, before being joined with a second surface film formed on a surface of a second substrate.
(FR) L'invention concerne un système de traitement de substrat pour traiter un substrat et comprend un dispositif de modification de surface pour modifier une partie périphérique externe d'un premier film de surface formé sur une surface d'un premier substrat, avant d'être joint à un second film de surface formé sur une surface d'un second substrat. Un procédé de traitement de substrat pour traiter un substrat consiste à modifier une partie périphérique externe d'un premier film de surface formé sur une surface d'un premier substrat, avant d'être joint à un second film de surface formé sur une surface d'un second substrat.
(JA) 基板を処理する基板処理システムは、第2の基板の表面に形成された第2の表面膜と接合される前の、第1の基板の表面に形成された第1の表面膜の外周部を改質する表面改質装置を有する。また、基板を処理する基板処理方法は、第2の基板の表面に形成された第2の表面膜と接合される前の、第1の基板の表面に形成された第1の表面膜の外周部を改質することを含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)