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1. (WO2020012984) センサ素子および電子機器
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国際公開番号: WO/2020/012984 国際出願番号: PCT/JP2019/025805
国際公開日: 16.01.2020 国際出願日: 28.06.2019
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
横川 創造 YOKOGAWA Sozo; JP
押山 到 OSHIYAMA Itaru; JP
伊藤 幹記 ITO Mikinori; JP
代理人:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
三浦 勇介 MIURA Yusuke; JP
優先権情報:
2018-13354313.07.2018JP
発明の名称: (EN) SENSOR DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF CAPTEUR ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) センサ素子および電子機器
要約:
(EN) The present disclosure relates to a sensor device and an electronic apparatus with which it is possible to achieve an increase in sensor sensitivity. A photoelectric conversion device for receiving light of a predetermined wavelength region and performing photoelectric conversion is formed in a semiconductor layer. A reflection suppressing portion for suppressing reflection of light is provided on a light-receiving surface which is the side on which light enters the semiconductor layer, and a transmission suppressing portion for suppressing transmission of the light that has entered via the light-receiving surface through the semiconductor layer is provided on a circuit surface which is the opposite side to the semiconductor layer with respect to the light-receiving surface. The present technique can be applied to a back-illuminated CMOS image sensor, for example.
(FR) La présente invention concerne un dispositif capteur et un appareil électronique, permettant d'améliorer la sensibilité du capteur. Un dispositif de conversion photoélectrique pour recevoir la lumière d'une région de longueur d'onde prédéterminée et réaliser une conversion photoélectrique est formé dans une couche semi-conductrice. Une partie de suppression de réflexion pour supprimer la réflexion de la lumière est disposée sur une surface de réception de lumière qui est le côté sur lequel la lumière entre dans la couche semi-conductrice, et une partie de suppression de transmission pour supprimer la transmission de la lumière qui a pénétré par l'intermédiaire de la surface de réception de lumière à travers la couche semi-conductrice est disposée sur une surface de circuit qui est le côté opposé à la couche semi-conductrice par rapport à la surface de réception de lumière. La présente technique peut s’appliquer à un capteur d’image CMOS rétroéclairé, par exemple.
(JA) 本開示は、センサ感度の向上を図ることができるようにするセンサ素子および電子機器に関する。 半導体層には、所定の波長域の光を受光して光電変換する光電変換素子が形成され、半導体層に対して光が入射する側となる受光面に、光が反射するのを抑制する反射抑制部が設けられるとともに、受光面に対して半導体層の反対側となる回路面に、受光面から入射した光が半導体層を透過するのを抑制する透過抑制部が設けられる。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSイメージセンサに適用できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)