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国際・国内特許データベース検索
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1. (WO2020012959) 基板処理方法および基板処理装置
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国際公開番号: WO/2020/012959 国際出願番号: PCT/JP2019/025354
国際公開日: 16.01.2020 国際出願日: 26.06.2019
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
川渕 洋介 KAWABUCHI, Yosuke; JP
代理人:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
優先権情報:
2018-13014309.07.2018JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
要約:
(EN) This substrate processing method comprises a step for removing a solidified film covering a pattern with recesses and protrusions formed on a substrate by evaporating the solidified film by heating the solidified film, wherein the step for removing the solidified film includes a step for forming an irradiation point of a laser beam for heating the solidified film on the substrate or the solidified film, and forming an exposed portion exposed from the solidified film of the pattern with recesses and protrusions, and a step for enlarging the exposed portion by moving the position of the irradiation point on the substrate or the solidified film.
(FR) Le procédé de traitement de substrat de l'invention comprend une étape consistant à retirer un film solidifié recouvrant un motif à évidements et saillies formés sur un substrat, par évaporation du film solidifié par chauffage du film solidifié, l'étape de retrait du film solidifié consistant à former un point d'irradiation d'un faisceau laser pour chauffer le film solidifié sur le substrat ou le film solidifié, et à former une partie exposée par rapport au film solidifié du motif à évidements et saillies; et une étape consistant à agrandir la partie exposée en déplaçant la position du point d'irradiation sur le substrat ou le film solidifié.
(JA) 基板に形成された凹凸パターンを覆う固化膜を加熱することで前記固化膜を気化させることにより、前記固化膜を除去する工程を有し、前記固化膜を除去する工程は、前記固化膜を加熱するレーザー光線の照射点を前記基板または前記固化膜に形成し、前記凹凸パターンの前記固化膜から露出する露出部を形成する工程と、前記基板または前記固化膜における前記照射点の位置を移動させることにより前記露出部を拡大する工程とを含む、基板処理方法。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)