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国際・国内特許データベース検索
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1. (WO2020012916) 積層構造体及びその製造方法並びに半導体デバイス
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国際公開番号: WO/2020/012916 国際出願番号: PCT/JP2019/024679
国際公開日: 16.01.2020 国際出願日: 21.06.2019
IPC:
H01L 21/8239 (2006.01) ,C01B 19/04 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
C 化学;冶金
01
無機化学
B
非金属元素;その化合物
19
セレン;テルル;それらの化合物
04
二元化合物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
45
電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
国立研究開発法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921, JP
株式会社東芝 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目1番1号 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050023, JP
発明者:
富永 淳二 TOMINAGA Junji; JP
宮田 典幸 MIYATA Noriyuki; JP
鎌田 善己 KAMATA Yoshiki; JP
國島 巌 KUNISHIMA Iwao; JP
代理人:
塩田 伸 SHIODA Shin; JP
優先権情報:
2018-13036510.07.2018JP
発明の名称: (EN) LAMINATE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) STRUCTURE STRATIFIÉE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 積層構造体及びその製造方法並びに半導体デバイス
要約:
(EN) [Problem] The present invention addresses the problem of providing a laminate structure in which the atomic arrangement is highly stable, a method for manufacturing the laminate structure, and a semiconductor device in which the laminate structure is used. [Solution] This laminate structure is characterized in having an alloy layer A formed with germanium and tellurium being the main components, and an alloy layer B formed with tellurium and either antimony or bismuth being the main components, chalcogen atoms of sulfur and/or selenium being contained in the alloy layer A and/or the alloy layer B.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir une structure stratifiée dans laquelle l'agencement atomique est hautement stable, un procédé de fabrication de la structure stratifiée, et un dispositif à semi-conducteur dans lequel la structure stratifiée est utilisée. La solution selon l'invention porte sur une structure stratifiée qui est caractérisée en ce qu'elle a une couche d'alliage A formée avec du germanium et du tellure constituant les composants principaux, et une couche d'alliage B formée avec du tellure et soit de l'antimoine soit du bismuth constituant les composants principaux, des atomes de chalcogène de soufre et/ou de sélénium étant contenus dans la couche d'alliage A et/ou la couche d'alliage B.
(JA) 【課題】本発明は、原子配列の安定性に優れる積層構造体及びその製造方法、並びに前記積層構造体を用いた半導体デバイスを提供することを課題とする。 【解決手段】本発明の積層構造体は、ゲルマニウムとテルルとを主成分として形成される合金層Aと、アンチモン及びビスマスのいずれかとテルルとを主成分として形成される合金層Bと、を有し、前記合金層A及び前記合金層Bの少なくともいずれかの層に硫黄及びセレンの少なくともいずれかのカルコゲン原子が含まれることを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)