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1. (WO2020012908) 流量センサ
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国際公開番号: WO/2020/012908 国際出願番号: PCT/JP2019/024467
国際公開日: 16.01.2020 国際出願日: 20.06.2019
IPC:
G01F 1/684 (2006.01) ,G01F 1/692 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
F
体積,体積流量,質量流量,または液位の測定;体積による測定
1
流体が連続流で計器を通過するときの流体もしくは流動性固体の体積流量または質量流量の測定流体が連続流で計器を通過するときの流体もしくは流動性固体の体積流量または質量流量の測定(体積流量の比例の測定G01F5/00
68
熱的効果を使用するもの
684
構造配置;素子の取付け,例.流体流量に関連しているもの
G 物理学
01
測定;試験
F
体積,体積流量,質量流量,または液位の測定;体積による測定
1
流体が連続流で計器を通過するときの流体もしくは流動性固体の体積流量または質量流量の測定流体が連続流で計器を通過するときの流体もしくは流動性固体の体積流量または質量流量の測定(体積流量の比例の測定G01F5/00
68
熱的効果を使用するもの
684
構造配置;素子の取付け,例.流体流量に関連しているもの
688
加熱,冷却または感知要素の特殊な型式を用いるもの
69
抵抗型の
692
薄膜構造
出願人:
日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 茨城県ひたちなか市高場2520番地 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP
発明者:
中土 裕樹 NAKATSUCHI, Hiroki; JP
小野瀬 保夫 ONOSE, Yasuo; JP
余語 孝之 YOGO, Takayuki; JP
島田 遼太郎 SHIMADA, Ryotaro; JP
代理人:
特許業務法人サンネクスト国際特許事務所 SUNNEXT INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都品川区東品川二丁目3番12号 シーフォ-トスクエア センタ-ビルディング16階 Seafort Square Center Building, 16F, 2-3-12, Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo 1400002, JP
優先権情報:
2018-13246412.07.2018JP
発明の名称: (EN) FLOW-RATE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE DÉBIT
(JA) 流量センサ
要約:
(EN) This flow-rate sensor is provided with a lead frame, a semiconductor chip which is disposed on one surface of the lead frame, and in which is formed a diaphragm having a void portion on the lead frame side thereof, a flow rate detecting unit formed on the one surface of the semiconductor chip including above the diaphragm, and resin which has a flow passage opening portion exposing at least a portion of the flow rate detecting unit formed on the diaphragm, and which covers the lead frame and the semiconductor chip, wherein a lower side resin portion of the resin covering an other surface side of the lead frame, on the opposite side to the one surface side thereof, has a thinned portion that is thinner than the periphery thereof, in a region opposing a peripheral edge portion of the diaphragm.
(FR) Cette invention concerne un capteur de débit, comprenant une grille de connexion, une puce à semi-conducteur qui est disposée sur une surface de la grille de connexion, et dans laquelle est formé une membrane ayant une partie vide sur le côté grille de connexion de celle-ci, une unité de détection de débit formée sur la surface de la puce à semi-conducteur y compris au-dessus de la membrane, et une résine qui a une partie d'ouverture de passage d'écoulement exposant au moins une partie de l'unité de détection de débit formée sur la membrane, et qui recouvre la grille de connexion et la puce à semi-conducteur, une partie de résine côté inférieur de la résine recouvrant un autre côté de surface de la grille de connexion, sur le côté opposé à son côté de surface, ayant une partie amincie qui est plus mince que sa périphérie, dans une région opposée à une partie de bord périphérique de la membrane.
(JA) 流量センサは、リードフレームと、前記リードフレームの一面上に配置され、前記リードフレーム側に空洞部を有するダイヤフラムが形成された半導体チップと、前記半導体チップの前記ダイヤフラム上を含む前記一面上に形成された流量検出部と、前記ダイヤフラム上に形成された前記流量検出部の少なくとも一部を露出する流路用開口部を有し、前記リードフレームおよび前記半導体チップを覆う樹脂とを備え、前記樹脂の、前記リードフレームの前記一面側とは反対側の他面側を覆う下部側樹脂部は、前記ダイヤフラムの周縁部に対向する領域に、周囲よりも薄い薄肉部を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)