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1. (WO2020012907) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
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国際公開番号: WO/2020/012907 国際出願番号: PCT/JP2019/024437
国際公開日: 16.01.2020 国際出願日: 20.06.2019
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
発明者:
園田 靖 SONODA, Yasushi; JP
代理人:
特許業務法人第一国際特許事務所 Patent Corporate Body Dai-ichi Kokusai Tokkyo Jimusho; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a plasma processing device and a plasma processing method with which it is possible to perform plasma etching with high shape controllability and little difference in the application time of high-frequency power among a plurality of plasma processing devices that perform plasma processing while periodically switching between gases. According to the present invention, when controlling, on the basis of the change in plasma impedance that occurs when switching from a first gas at a first step to a second gas at a second step, so as to change a second high-frequency power to be applied to a stage from the value of the second high-frequency power at the first step to the value of the second high-frequency power at the second step, the supply time for the first gas is controlled using the time spanning from the start time of the first step to the supply start time of the first gas and the time spanning from the end time of the first step to the supply end time of the first gas, such that the supply time of the second high-frequency power at the first step is substantially the same as the time of the first step.
(FR) L'objectif de la présente invention est de fournir un dispositif de traitement par plasma et un procédé de traitement par plasma avec lesquels il est possible d'effectuer un traitement par plasma avec une commande de forme élevée et une faible différence dans le temps d'application d'une puissance haute fréquence parmi une pluralité de dispositifs de traitement par plasma qui réalisent un traitement par plasma tout en commutant périodiquement entre des gaz. Selon la présente invention, lors de la commande, sur la base du changement d'impédance de plasma qui se produit lors de la commutation d'un premier gaz à une première étape vers un second gaz à une seconde étape, de façon à modifier une seconde puissance haute fréquence à appliquer à un étage, de la valeur de la seconde puissance haute fréquence à la première étape, à la valeur de la seconde puissance haute fréquence à la seconde étape, le temps d'alimentation pour le premier gaz est commandé à l'aide du temps entre le début de la première étape et le début d'alimentation du premier gaz, et du temps entre la fin de la première étape et la fin d'alimentation du premier gaz, de telle sorte que le temps d'alimentation de la deuxième puissance haute fréquence à la première étape est sensiblement le même que le temps de la première étape.
(JA) 本発明は、ガスを周期的に切り替えながらプラズマ処理を行う複数のプラズマ処理装置間で、高周波電力の印加時間の機差が小さくかつ形状制御性の高いプラズマエッチングを行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。本発明は、第一のステップの第一のガスから第二のステップの第二のガスへ切り替える時に生じるプラズマインピーダンスの変化に基づいて試料台に印加される第二の高周波電力を前記第一のステップの前記第二の高周波電力の値から前記第二のステップの前記第二の高周波電力の値へ変化させるように制御する場合、前記第一のステップの前記第二の高周波電力の供給時間が前記第一のステップの時間と概ね同等となるように、前記第一のステップの開始時間から前記第一のガスの供給開始時間までの時間、及び、前記第一のステップの終了時間から前記第一のガスの供給終了時間までの時間を用いて前記第一のガスの供給時間を制御する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)