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国際・国内特許データベース検索
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1. (WO2020012860) 撮像素子および撮像素子の製造方法
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国際公開番号: WO/2020/012860 国際出願番号: PCT/JP2019/023301
国際公開日: 16.01.2020 国際出願日: 12.06.2019
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,G02B 5/30 (2006.01) ,G02B 7/34 (2006.01) ,G03B 13/16 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
G 物理学
02
光学
B
光学要素,光学系,または光学装置
5
レンズ以外の光学要素
30
偏光要素
G 物理学
02
光学
B
光学要素,光学系,または光学装置
7
光学要素用のマウント,調節手段,または光密結合
28
焦点調節信号の自動発生用のシステム
34
瞳面の異なる部分を使用するもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
B
写真を撮影するためのまたは写真を投影もしくは直視するための装置または配置;光波以外の波を用いる類似技術を用いる装置または配置;そのための付属品
13
フアインダ;カメラ用の焦点調節補助部材;カメラ用の焦点調節のための手段;カメラ用の自動焦点調節システム
02
ファインダー
16
焦点調節補助部材と組み合わせたもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
西 祥生 NISHI Sachio; JP
深川 博信 FUKAGAWA Hironobu; JP
加藤 英明 KATO Hideaki; JP
佐藤 秋光 SATOU Akimitsu; JP
代理人:
松尾 憲一郎 MATSUO Kenichiro; JP
優先権情報:
2018-12965209.07.2018JP
発明の名称: (EN) IMAGING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE
(JA) 撮像素子および撮像素子の製造方法
要約:
(EN) The present invention simplifies a step for forming an on-chip lens of a phase difference pixel. This imaging element is provided with a pixel array unit, an individual on-chip lens, a common on-chip lens, and an adjacent on-chip lens. In the pixel array unit, a pixel that performs photoelectric conversion according to incident light, a plurality of phase difference pixels that are pixels adjacently disposed and detecting a phase difference, and a phase difference pixel's adjacent pixel that is a pixel adjacent to the phase difference pixel are two-dimensionally disposed. The individual on-chip lens is disposed in each pixel, and individually concentrates the incident light onto the pixel. The common on-chip lens is disposed in common to the plurality of phase difference pixels, and jointly concentrates the incident light. The adjacent on-chip lens is disposed in each phase difference pixel's adjacent pixel, individually concentrates the incident light onto the phase difference pixel's adjacent pixel, and is configured to have a size different from the individual on-chip lens in order to adjust the shape of the common on-chip lens.
(FR) La présente invention simplifie une étape de formation d'une lentille sur puce d'un pixel à différence de phase. Cet élément d'imagerie comprend une unité de matrice de pixels, une lentille individuelle sur puce, une lentille sur puce commune et une lentille sur puce adjacente. Dans l'unité de matrice de pixels, un pixel qui effectue une conversion photoélectrique en fonction de la lumière incidente, une pluralité de pixels de différence de phase qui sont des pixels disposés de manière adjacente et détectant une différence de phase, et un pixel adjacent de pixel de différence de phase qui est un pixel adjacent au pixel de différence de phase sont disposés en deux dimensions. La lentille individuelle sur puce est disposée dans chaque pixel, et concentre individuellement la lumière incidente sur le pixel. La lentille sur puce commune est disposée en commun avec la pluralité de pixels de différence de phase, et concentre conjointement la lumière incidente. La lentille sur puce adjacente est disposée dans chaque pixel adjacent du pixel de différence de phase, concentre individuellement la lumière incidente sur le pixel adjacent du pixel de différence de phase, et est configurée pour avoir une taille différente de la lentille individuelle sur puce afin d'ajuster la forme de la lentille sur puce commune.
(JA) 位相差画素のオンチップレンズの形成工程を簡略化する。 撮像素子は、画素アレイ部、個別オンチップレンズ、共通オンチップレンズおよび隣接オンチップレンズを具備する。画素アレイ部は、入射光に応じて光電変換を行う画素と、隣接して配置されて位相差を検出する画素である複数の位相差画素と、位相差画素に隣接する画素である位相差画素隣接画素とが2次元に配置される。個別オンチップレンズは、画素毎に配置されて入射光を画素に個別に集光する。共通オンチップレンズは、複数の位相差画素に共通に配置されて入射光を共通に集光する。隣接オンチップレンズは、位相差画素隣接画素毎に配置されて入射光を位相差画素隣接画素に個別に集光するとともに共通オンチップレンズの形状を調整するために個別オンチップレンズとは異なるサイズに構成される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)