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1. (WO2020012800) 匂いセンサ及び匂いセンサの製造方法
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国際公開番号: WO/2020/012800 国際出願番号: PCT/JP2019/020959
国際公開日: 16.01.2020 国際出願日: 27.05.2019
IPC:
G01N 27/00 (2006.01) ,G01N 27/414 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
27
電気的,電気化学的,または磁気的手段の利用による材料の調査または分析
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
27
電気的,電気化学的,または磁気的手段の利用による材料の調査または分析
26
電気化学的変量の調査によるもの;電解または電気泳動の利用によるもの
403
セルと電極の組合せ
414
イオン感応性または化学的電界効果トランジスタ,例.ISFETSまたはCHEMFETS
出願人:
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
国立大学法人豊橋技術科学大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 愛知県豊橋市天伯町雲雀ヶ丘1-1 1-1, Hibarigaoka, Tempaku-cho, Toyohashi-shi, Aichi 4418580, JP
発明者:
若森 俊樹 WAKAMORI Toshiki; JP
中東 真一 NAKAHIGASHI Shinichi; JP
澤田 和明 SAWADA Kazuaki; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
優先権情報:
2018-13245212.07.2018JP
発明の名称: (EN) ODOR SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING ODOR SENSOR
(FR) CAPTEUR D'ODEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CAPTEUR D'ODEUR
(JA) 匂いセンサ及び匂いセンサの製造方法
要約:
(EN) This odor sensor is provided with: an ion sensor obtained by forming, on a semiconductor substrate, a sensing part provided with a sensitive film in which an electric potential is varied in accordance with a state of a measurement object; a substance adsorption film disposed on the sensitive film, a state of the adsorption film being varied by adsorption of an odor substance thereto; and a reference electrode for applying a reference voltage to the substance adsorption film. The reference electrode is separated from the sensitive film, and is disposed so as not to overlap the sensing part as viewed from the thickness direction of the semiconductor substrate.
(FR) L'invention concerne un capteur d'odeur comprenant : un capteur d'ions obtenu par la formation, sur un substrat semi-conducteur, d'une partie détection comprenant un film sensible dans lequel un potentiel électrique varie en fonction d'un état d'un objet de mesure ; un film d'adsorption de substance disposé sur le film sensible, un état du film d'adsorption étant modifié par l'adsorption d'une substance odorante sur ce dernier ; et une électrode de référence permettant d'appliquer une tension de référence au film d'adsorption de substance. L'électrode de référence est séparée du film sensible, et est disposée de façon à ne pas chevaucher la partie de détection telle qu'observée depuis la direction de l'épaisseur du substrat semi-conducteur.
(JA) 匂いセンサは、測定対象の状態に応じて電位を変化させる感応膜が設けられたセンシング部を半導体基板上に形成してなるイオンセンサと、感応膜上に配置され、匂い物質を吸着することにより状態を変化させる物質吸着膜と、物質吸着膜に参照電圧を印加する参照電極と、を備える。参照電極は、感応膜から離間すると共に、半導体基板の厚み方向から見て、センシング部と重ならないように配置されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)